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1.
Numerical simulation, using SILVACO-TCAD, is carried out to explain experimentally observed effects of different types of deep levels on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates. Two diodes were grown on (311)A and (211)A oriented GaAs substrates using Molecular Beam Epitaxy (MBE). Although, deep levels were observed in both structures, the measured capacitance–voltage characteristics show a negative differential capacitance (NDC) for the (311)A diodes, while the (211)A devices display a usual behaviour. The NDC is related to the nature and spatial distribution of the deep levels, which are characterized by the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique. In the (311)A structure only majority deep levels (hole traps) were observed while both majority and minority deep levels were present in the (211)A diodes. The simulation, which calculates the capacitance–voltage characteristics in the absence and presence of different types of deep levels, agrees well with the experimentally observed behaviour. 相似文献
2.
仪器仪表产品的脉冲耐压试验是产品型式试验、例行试验中的基本内容。通过对GB4793.1标准的整理,归纳了仪器仪表产品的脉冲耐压试验要求。通过对试验方法和设备特性的梳理,总结了特性参数,并介绍了应对脉冲耐压试验可采取的保护器件的类别及选用方法。 相似文献
3.
4.
新形势下电气工程及其自动化专业人才培养模式与知识体系框架 总被引:21,自引:8,他引:13
在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上,根据科学技术和社会经济发展的要求,提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求,提出了该专业人才的知识框架体系。 相似文献
5.
OCT图像散斑的形成机理和清除方法 总被引:4,自引:1,他引:3
根据光相干层析成像(OCT)的光学和光电检测系统特点,结合现有的理论模型,分析了OCT成像和散斑形成机理。指出失去相干性的多次散射光部分会被滤波电路排除,散斑是由高散射组织相干长度之内的不同散射截面上的若干具有nπ光程差的相干散射光彼此叠加形成的。最后讨论了消除散斑的方法。 相似文献
6.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
7.
8.
9.
10.
基于充放电原理实现的微电容测量电路 总被引:1,自引:0,他引:1
具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究,并介绍一种基于充放电原理的实用电路。 相似文献