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1.
We investigate the possibility of phantom crossing in the dark energy sector and the solution for the Hubble tension between early and late universe observations. We use robust combinations of different cosmological observations, namely the Cosmic Microwave Background (CMB), local measurement of Hubble constant (H0), Baryon Acoustic Oscillation (BAO) and SnIa for this purpose. For a combination of CMB+BAO data that is related to early universe physics, phantom crossing in the dark energy sector was confirmed at a 95% confidence level and we obtained the constraint H0=71.03.8+2.9 km/s/Mpc at a 68% confidence level, which is in perfect agreement with the local measurement by Riess et al. We show that constraints from different combinations of data are consistent with each other and all of them are consistent with phantom crossing in the dark energy sector. For the combination of all data considered, we obtained the constraint H0=70.25±0.78 km/s/Mpc at a 68% confidence level and the phantom crossing happening at the scale factor am=0.8510.031+0.048 at a 68% confidence level.  相似文献   
2.
Solar-driven interfacial vaporization by localizing solar-thermal energy conversion to the air−water interface has attracted tremendous attention. In the process of converting solar energy into heat energy, photothermal materials play an essential role. Herein, a flexible solar-thermal material di-cyan substituted 5,12-dibutylquinacridone (DCN−4CQA)@Paper was developed by coating photothermal quinacridone derivatives on the cellulose paper. The DCN−4CQA@Paper combines desired chemical and physical properties, broadband light-absorbing, and shape-conforming abilities that render efficient photothermic vaporization. Notably, synergetic coupling of solar-steam and solar-electricity technologies by integrating DCN−4CQA@Paper and the thermoelectric devices is realized without trade-offs, highlighting the practical consideration toward more impactful solar heat exploitation. Such solar distillation and low-grade heat-to-electricity generation functions can provide potential opportunities for fresh water and electricity supply in off-grid or remote areas.  相似文献   
3.
在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。  相似文献   
4.
5.
为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4%,11.3%,10.4%和11.6%.  相似文献   
6.
In this paper, we study the global (in time) existence of small data solutions to the Cauchy problem for the semilinear wave equation with friction, viscoelastic damping, and a power nonlinearity. We are interested in the connection between regularity assumptions for the data and the admissible range of exponents p in the power nonlinearity.  相似文献   
7.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1012-1019
This paper presents a voltage reference generator architecture and two different realizations of it that have been fabricated within a standard 0.18 μm CMOS technology. The architecture takes the advantage of utilizing a sampled-data amplifier (SDA) to optimize the power consumption. The circuits achieve output voltages on the order of 190 mV with temperature coefficients of 43 ppm/°C and 52.5 ppm/°C over the temperature range of 0 to 120°C without any trimming with a 0.8 V single supply. The power consumptions of the circuits are less then 500 nW while occupying an area of 0.2 mm2 and 0.08 mm2, respectively.  相似文献   
8.
ABSTRACT

The RF output power dissipated per unit area is calculated using Runge-Kutta method for the high-moderate-moderate-high (n+-n-p-p+) doping profile of double drift region (DDR)-based impact avalanche transit time (IMPATT) diode by taking different substrate at Ka band. Those substrates are silicon, gallium arsenide, germanium, wurtzite gallium nitride, indium phosphide and 4H-silicon carbide. A comparative study regarding power dissipation ability by the IMPATT using different material is being presented thereby modelling the DDR IMPATT diode in a one-dimensional structure. The IMPATT based on 4H-SiC element has highest power density in the order of 1010 Wm?2 and the Si-based counterpart has lowest power density of order 106 Wm?2 throughout the Ka band. So, 4H-SiC-based IMPATT should be preferable over others for the power density preference based application. This result will be helpful to estimate the power density of the IMPATT for any doping profile and to select the proper element for the optimum design of the IMPATT as far as power density is concerned in the Ka band. Also, we have focused on variation of power density with different junction temperatures and modelled the heat sink with analysis of thermal resistances.  相似文献   
9.
多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题,提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织,使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布,减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值,降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展,扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明,扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。  相似文献   
10.
掺镱双包层高功率光纤激光器输出特性研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
对线形腔掺镱双包层高功率光纤激光器的输出特性进行了研究 ,通过求解速率方程 ,得到了激光器泵浦阈值功率、输出光功率和斜率效率的表达式。分析了光纤长度、腔镜反射率和泵浦波长等因素对激光器阈值功率、输出光功率和斜率效率的影响 ,为高功率光纤激光器的优化设计提供了理论依据  相似文献   
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