Evaluation of Charged Defect Energy in Two-Dimensional Semiconductors for Nanoelectronics: The WLZ Extrapolation Method

Defects play a central role in controlling the electronic properties of two-dimensional (2D) materials and realizing the industrialization of 2D electronics. However, the evaluation of charged defects in 2D materials within first-principles calculation is very challenging and has triggered a recent development of the WLZ (Wang, Li, Zhang) extrapolation method. This method lays the foundation of the theoretical evaluation of energies of charged defects in 2D materials within the first-principles framework. Herein, the vital role of defects for advancing 2D electronics is discussed, followed by an introduction of the fundamentals of the WLZ extrapolation method. The ionization energies (IEs) obtained by this method for defects in various 2D semiconductors are then reviewed and summarized. Finally, the unique defect physics in 2D dimensions including the dielectric environment effects, defect ionization process, and carrier transport mechanism captured with the WLZ extrapolation method are presented. As an efficient and reasonable evaluation of charged defects in 2D materials for nanoelectronics and other emerging applications, this work can be of benefit to the community.     

BOC调制技术研究

伽利略卫星导航系统是欧洲自主的、独立的全球多模式卫星定位导航系统，提供高精度、高可靠性的定位服务，同时它实现完全非军方控制、管理。伽利略系统采用BOC调制方式。现介绍BOC调制的性质及和BPSK调制方式相比较的优点。     

电信宽带LAN接入网建设中的有关问题探讨

文章介绍了采用以太网技术的宽带接入网，对目前以及网宽带接入网建设中存在的问题如安全、维护、投资和计费等进行了研究，提出了解决上述问题的建议。     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

Rigidity and flexibility of virtual polytopes

All 3-dimensional convex polytopes are known to be rigid. Still their Minkowski differences (virtual polytopes) can be flexible with any finite freedom degree. We derive some sufficient rigidity conditions for virtual polytopes and present some examples of flexible ones. For example, Bricard's first and second flexible octahedra can be supplied by the structure of a virtual polytope.     

电视电缆故障点的确定

根据惠斯通电桥工作原理，采用回路法可以简便快捷地确定电视地下电缆接地、短路故障点的位置。电容法也是一种常用的检查开路的检测方法。这样维修人员可以迅速排除故障，保证电视节目的正常传送。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

一种基于判决反馈的OFDM系统载波频率跟踪算法

研究了多径信道下OFDM系统的一种新的载波频率跟踪算法，这种算法以判决反馈和接收端的时域信号重构为基础。推导了估计结果的精确解，比较了使用原估计结果和新的估计结果进行频偏补偿时系统跟踪性能的不同。通过对算法的仔细分析，发现除了通常的加性噪声外，信道估计误差、子载波数目和子载波的调制方式也影响频偏的估计结果和跟踪范围，而且子载波的数目和调制方式是决定性的因素。这种频率跟踪方法的优点是即使在很低的信噪比下仍然能获得高的跟踪精度，且实现相对简单。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.