射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

基于IMS的语音融合方案的研究

文章探讨了在网络和业务分阶段融合的前提和背景下，语音业务在各个阶段的主要功能扩展和实现方案，提出了一种分阶段融合的思路，并重点研究了在融合的后期阶段，利用IMS提供语音连续性（VCC）业务的解决方案。     

Wideband frequency and in situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors

High-κ dielectrics are promising candidates to increase capacitor integration densities but their properties depend on manufacturing process and frequency because relaxation and resonance mechanisms occur. Complementary characterization protocols are needed to analyze high-κ insulator behaviour from DC to microwave frequencies. The extraction of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition HfO₂ and ZrO₂ complex permittivity was performed up to 5 GHz using dedicated test vehicles allowing an in situ characterization as a function of dielectric thickness. The measurement procedure was thus validated, highlighting the potentiality of these two dielectrics to cover a wide range of frequencies.     

cdma2000网络基于IMS的VCC技术研究

cdma2000网络未来会向HRPD网络发展,当lx网络和HRPD网络双网共存时,保证语音呼叫连续性将是运营商必须解决的问题。本文着重介绍了实现lx呼叫和HRPD语音呼叫业务连续性的一种技术——基于IMS的VCC技术,阐述了VCC在话音连续性和域选择等方面的实现机制,并对未来IMS网络中VCC业务的发展提供了建议。     

变耦合系数非线性三波导定向耦合器特性研究

报道了对高斯型及指数型变耦合系数三波导耦合器的一些重要的全光开关特性进行的研究。利用四阶龙格一库塔方法对指数型和高斯型两类变耦合系数三波导耦合器进行了数值计算。数值计算结果表明：对于变耦合系数三波导耦合器而言,功率可在波导1与波导3之间100％转换,而波导2则不可能达到100％的功率输出。与双波导变耦合系数耦合器相比,在相同的最大耦合系数情况下三波导变耦合系数耦合器开关曲线要更陡一些．即具有更好的开关特性。与平行三波导耦合器相比,变耦合系数三波导耦合器作为光开关的最大优点在于开关曲线中不存在振荡。     

IMS国际标准研究的最新进展

IP多媒体子系统（1MS）作为固定接入和移动接入的统一核心控制网络，采用控制和承载、控制和业务相分离的机制，网络能力得到很大增强。公众普遍认为IMS是现有网络演进和发展的方向。IMS的国际标准工作主要由第3代移动通信合作计划（3GPP）和电信、互联网融合业务及高级网络协议（TISPAN）标准组织完成。文章内容包括3GPPSDTISPAN对IMS的总体标准化情况，IMS的关键技术和热点问题的研究情况，涉及IMS网络核心控制部分的完善和增强、与IMS相关的互联互通、IMS与电路域（CS）并存下的一些问题、下一代网络（NGN）R2阶段有关的IMS研究。     

基于IMS的VCC业务实现

从语音呼叫连续性（VCC）采用的关键技术、基于IMS的VCC具体实现方案以及VCC现存问题3个方面介绍了VCC主要处理过程和VCC系统架构,并提出了一种具体基于IMS的VCC实现方案。     

Analysis of reliability characteristics of high capacitance density MIM capacitors with SiO2-HfO2-SiO2 dielectrics

In this paper, reliability as well as electrical properties of high capacitance density metal-insulator-metal (MIM) capacitor with hafnium-based dielectric is analyzed in depth. The fabricated MIM capacitor exhibits not only high capacitance density but also low voltage coefficient of capacitance (VCC) and low temperature coefficient of capacitance (TCC). It also has a low leakage current level of about ∼1 nA/cm² at room temperature and 1 V. However, it is shown that voltage linearity has a different dependence on the polarity of applied bias as temperature increases maybe due to the bulk traps between the metal electrode and high-k dielectric interface. In addition, the effect of charge trapping and de-trapping on the voltage linearity is analyzed under constant voltage stress.     

VCC技术:CS和IMS间的无缝切换

随着核心网技术演进到IMS，无缝移动技术也从UMA演进到VCC。文章介绍了VCC技术的两种实现方案：发起域控制和IMS域控制，并对两种方案进行了比较分析，指出了IMS域控制方案是发展方向，并对VCC技术做出了展望。     

语音呼叫连续性（VCC）技术及标准进展

语音呼叫连续性（Voice Call Continuity,VCC）作为实现电路域和多媒体域间话音呼叫连续性的技术而被3GPP和3GPP2所采用。本文对VCC的技术优势、标准进展情况以及主要呼叫流程进行了介绍及分析。