纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。     

全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。     

一种新颖的MEMS光开关测量平台的设计与实现

近年来,随着光电器件的广泛应用,微机械光开关(MEMS)成为核心光交换器件的主流。在研发过程中,其器件检测手段成为人们所关注的话题。文章介绍了一种新颖的测量平台,通过高幅值利用单片机控制脉冲频率的方法来选择器件。与当前同类方法相比,具有精度高、可靠性强、成本低、易操作等特点,具有广阔的使用前景。     

IGBT特性的辐照效应

本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达10（13）n／cm2时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阀值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。