Defocusing image to pattern contact holes using attenuated phase shift masks

The patterning of contact holes by selecting out-of-focus image plane (defocus) using attenuated phase shift masks (APSM) has been studied. Defocus is found to enhance the image modulation at low partial coherence for contact holes with negative local average of mask function. Semi-dense holes up to 130 nm in 8% APSM have been printed by 0.5 μm defocus at a partial coherence of 0.31 using KrF scanner with highest numerical aperture of 0.68. However, these holes were closed with in-focus imaging. Defocus is also found to be beneficial for patterning the pitches that have extensive side lobes with in-focus imaging.     

提高焊膏印刷质量的工艺改进

焊膏印刷作为SMT工艺的第一步，其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析，讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择；对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析，指出了产生问题的原因，提出了改进措施。     

大焦深成像系统仿真实验研究

如何增大非相干光学成像系统的焦深是应用光学研究领域的热点问题.本文对采用高次非球面光学掩模板与图像处理相结合增大成像光学系统焦深的新方法进行了深入分析,建立了大焦深成像系统仿真实验模型,并进行了大焦深成像系统仿真实验.实验结果证明了该方法在维持原相对孔径的同时使光学系统在较大的离焦范围内有好的成像质量.实际应用中还要综合考虑模板参量、信噪比等关键因素.     

Selective area epitaxy of CdTe

We have performed selective area epitaxy (SAE) of CdTe layers grown by molecular beam epitaxy using a shadow mask technique. This technique was chosen over other SAE techniques due to its simplicity and its compatibility with multiple SAE patterning steps. Features as small as 50 microns × 50 microns were obtained with sharp, abrupt side walls and flat mesa tops. Separations between mesas as small as 20 microns were also obtained. Shadowing effects due to the finite thickness of the mask were reduced by placing the CdTe source in a near normal incidence position. Intimate contact between the mask and the substrate was essential in order to achieve good pattern definition.     

荫罩黑化及DX气与煤气成分的探讨

本文介绍了彩色显像管荫罩黑化反应的机理,详细说明了DX气制气流程,以及DX气的成分对黑化膜品质的影响。计算分析了成分不同的煤气在制成DX气时的成分变化。同时还分析了黑化工艺和黑化设备对煤气成分波动的适应性,及在生产实践中改变DX气制气时的煤气空气对黑化膜质量的影响。     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

布喇格光纤光栅反射特性及制作的理论研究

在对光纤光栅折射率分布进行合理假设的基础上,运用耦合模理论计算了光纤光栅的反射特性,对其反射特性与相关参数的关系进行了分析,并且还推导出了用相位掩模法制造光纤光栅的理论根据,得到了一些有益于光纤光栅制造的结论和有用公式。