SiP协调设计和PI解析(6)

概述了SiP(系统封装)协调设计和PI解析:(1)协调工程(下);(2)电源供给电路;(3)SSD噪声;(4)旁路电容。     

基于SiP技术的胶囊内窥镜微型电路系统制造

胶囊内窥镜是近年发展起来的微型医疗仪器,其电路构造具有体积小、功能全等特点。文章提出用高密度封装SiP技术实现胶囊内窥镜的电路系统微型化。相对传统的芯片定制方式,采用堆叠式、表面贴装式或倒装焊式等组装方式具有成本低、难度低、开发周期短的优点。SiP封装、埋植式元件基板制造等高密度封装技术的不断发展,使得采用普通商用芯片实现胶囊内窥镜电路系统制造具有可行性。     

系统级封装技术现状与发展趋势

目前应用的系统级封装SiP还只是制造商们简单制作的芯片组合体,而今后为了真正普及SiP,还有若干个残留课题,如芯片的测试、多个芯片组合时回路的控制等.叙述SiP技术的现状和将来的展望及课题.     

鱼与熊掌:SoC,还是SiP?

本文分析了SoC和SiP的各自特点,指出SiP是一种充满前途的芯片形式,但是缺乏标准和设计工具将制约SiP的成长.     

从2D到3D-创意电子创新的设计服务:SiP与SoC相辅相成

阐释系统封装(SiP)的定义、优缺点、使用上会遭遇的困难点及解决之道、与未来发展的趋势。     

系统模块(SiP)和三维封装(3D)在移动通讯中的应用

电子封装业界正遭受着前所未有的来自手机和其他移动通讯终端设备挑战。在这一领域里,IC封装的关键是尺寸微型化,缩减成本和市场时机。这一挑战的背后隐含着手机技术发展的两大趋势:系统模块化和日益增长的复杂性及功能。越来越多的功能正在被组合到手机上即PDA、MP3、照相机、互联网等等。功能的增加需要靠模块化来实现,而模块化又促进了更多功能的组合。同时,模块化使得移动通讯终端设备得以微型化、降低成本和缩短设计周期。业界越来越多地感受到整体射频模块和通讯模块解决方案的必要性。这些整体模块把手机设计师从电路设计的细节中解脱出来,从而能专著于高层的手机应用和系统的设计。为了满足上诉移动通讯产品的苛刻要求,大量的新兴电子封装技术和封装产品应运而生。最引人注目的例子在于对系统模块穴SiP雪和三维穴3D雪封装的重点资金和技术投入。这两项先进封装技术有着各自不同的特征和应用范围。总体介绍先进封装技术在移动通讯中的应用,重点讨论电子封装材料和工艺所面临的挑战和最新发展趋势。对移动通讯带来的新一轮集成化及其所产生的潜在供应链问题也做了适当的讨论。     

Assignment of inter-die signals in a simplified wiring model for die-stacking SiP designs

Compared with traditional flow in IC designs, the assignment of the inter-die signals between different dies is an important stage in a die-stacking SiP design. In this paper, given a tolerant spacing rule between two inter-die signals, the crossing constraint between two inter-die signals can be firstly defined for the bonding wires in a die-stacking SiP design with a simplified wiring model [7]. Furthermore, based on the connection constraint on any inter-die signal, the capacity constraint on any assigned pad on dies and the crossing constraint between two inter-die signals, an integer linear programming-based (ILP-based) approach is proposed to assign all the inter-die signals to minimize the total wirelength in a die-stacking SiP design. Compared with Lin’s two-stage approach [4] for some tested examples without a tolerant spacing distance between two inter-die signals in an Euclidean wiring model, the experimental results show that our proposed ILP-based approach increases 4.5% of CPU time and reduces 6.2% of total wirelength to assign all the inter-die signals on the average. Besides that, compared with Yan’s iterative approach [6] for some tested examples without a tolerant spacing distance between two inter-die signals in an Euclidean wiring model, the experimental results show that our proposed ILP-based approach uses reasonable CPU time to reduce 5.3% of total wirelength to assign all the inter-die signals on the average. Compared with Lin’s modified two-stage approach and Yan’s modified iterative approach for some dense tested examples with a tolerant spacing distance between two inter-die signals in a simplified wiring model [7], the experimental results show that Lin’s modified two-stage approach only achieves 95.9% of the assignment ratio on the average, Yan’s modified iterative approach only achieves 96.6% of the assignment ratio on the average and our proposed ILP-based approach uses reasonable CPU time to achieve 100% of the assignment ratio.     

基于SOP生产工艺的系统级封装

提出了一种基于SOP24基板及生产工艺,利用空余的管脚焊盘放置被动元件实现内部互连,制作SiP封装集成电路的封装工艺。选择红外发射电路,使用HT6221红外编码器芯片、电阻、三极管等无源元件,制造出集成了驱动电路的红外发射芯片。建立开发平台对内部器件的布置进行优化,最终制作出工艺简单、性能可靠的SiP封装器件。用一个标准的SOP24封装组件实现了完整的系统功能,面积比系统级封装前减少50％,可靠性大幅度提高,用户使用该芯片开发产品的难度大大降低。     

SiP组件中芯片失效机理与失效分析

由于分析手段与分析设备的限制,系统级封装（SiP）组件的芯片在失效分析的过程中带有一定的盲目性。结合故障树分析方法,以PM O S芯片失效为例,讨论了SiP组件常见的管芯失效机理：电应力失效、热应力失效、机械损伤和环境应力失效以及相应的失效现象;最后从设计和工艺角度提出了降低各种失效机理发生的改进措施。     

SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究

应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构间能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2 GPa, 15.0 GPa, 19.3 GPa, 20.0 GPa 和 10.3 GPa时分别转变成GeP型结构、Rhom.型结构、β-InS型结构、 CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123 eV 和 0.123 eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.