ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

开关电源的平均电流自动均流技术

针对多个开关电源并联时易出现负载电流在各模块间分配不均的现象,介绍了常用的负载电流自动均流法——平均电流自动均流法及其工作特性。并针对其存在母线电压降低的缺陷,提出了一种改进的平均电流自动均流方法,经试验证明均流精度比较高。     

数字电路中电源电压瞬间下降的成因及改进

通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

基于开关电流技术的连续小波变换的实现方法

开关电流技术是一种新的模拟抽样数据处理技术。开关电流电路具有一般电路不具有的优点，与标准数字CMOS工艺兼容。连续小波变换是分析非平稳信号的有力工具，在信号处理上有广泛的应用。本文提出用开关电流技术实现连续小波变换的方法，并用Matlab仿真证明了其理论可行性。     

单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应，计算了连接电流，连接孕育期和紧密接触面积，本文结果表明，连接初期电流迅速衰减，随后缓慢变小，直至某一稳定值，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高时，孕育期将难以观察到；待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时，其边界向外推进速度渐小，而接触面积增加渐快。     

空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱

用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子／离子化器，建立了原子／离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子／离子荧光信号强度的影响，测量了系统对Ca的原子／离子荧光光谱的检出限。