差分无源器件的设计

在现代无线通信系统中,差分电路相比单端电路而言具有更强的抗干扰能力,因此受到了国内外学者的广泛关注。文章介绍了混合模散射参数、差分器件设计中常用的微带线和缝隙线及两种传输线之间的相互转化,并介绍了基于微带线和缝隙线转换结构的两种全差分带通滤波器。两种滤波器分别实现了多频段和宽带的差模传输特性以及宽带的共模抑制特性。文章还给出了差分耦合器、差分功分器和差分天线等差分器件的设计。仿真与实测结果吻合较好,验证了设计方法的正确性。     

微波相关器散射参数推导与MATLAB仿真

运用矩阵代数分析方法,推导了由功分器、定向耦合器和延迟线组成的微波相关器在忽略各部件互连传输线情况下的散射参数表达式,形式简明,物理概念清晰。结合S参数表达式利用Matlab数值计算,全面分析了功分器输出幅度、相位不一致,定向耦合器耦合度变化、直通端和耦合端相位差非90°等情况对微波相关器鉴相带来的影响,为分析设计微波相关器提供了参考。     

一种能抑制HBT Kink效应的新型复合管

介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构.通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定.采用2 μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1～20 GHz(接近该HBT的截止频率)的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合.采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗.     

天馈系统性能参数的细微特征分析

提出了一种采用频域反射计法分析天馈系统性能参数的方法，并对测量误差进行了讨论。该方法将频域测量的数据(矢量)转换到时域，获得故障距离DTF(distance—to—fault)，以有效了解天馈系统内部的细微特征。应用该方法，可以在天馈系统出现重大故障前发现细小的、难于确认的问题，打破了传统的故障之后再修理的维护方法。计算机仿真结果表明，采用频域反射计法分析天馈系统性能参数的细微特征是可行的。     

使用防护布线减小差分传输线间的高频串扰噪声

随着高速电路的不断发展,差分传输线得到了越来越广泛的应用。它具有低辐射和较好的抗共模噪声能力。但是传统的差分线结构不能有效的降低邻近差分对之间的串扰噪声,这将影响到高速系统的信号完整性。文章针对使用防护布线的方法,讨论了三种不同结构的防护布线,在全波电磁仿真软件HFSS中建立了三维物理模型,利用混模S参数分析了它们对于减小串扰噪声的作用,从场的角度对比了它们的电磁屏蔽效果,并对如何使用防护布线提出了一些建议。     

虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路

给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成.并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设计微波振荡器电路难以找到反馈通路的困难.利用该方法成功设计了采用HBT工艺制作的宽带VCO单片电路,验证了该方法的有效性.本方法对设计VCO电路有一定的参考价值.     

互易无耗二端口网络S参数测量的一点注记

本文指出互易有耗二端口网络S参数的测量方法和数据处理方法完全可用于互易无耗二端口网络中,使这两种网络的S参数测量统一起来。文中给出若干计算和测量实例。     

测量互易多端口网络S参数的多短路活塞法的进一步改进

本文提出互易多端口网络的广义等效二端口测量方程组,解决了S参数测量中被测网络的互等效参数的利用问题,从而大大地缩短了S参数的测量过程,节省了大量的测量时间。文中给出测量实例。     

Characterization of Heterostructure-Barrier-Varactors for Frequency Multiplication

This paper presents the fabrication and characterization of four-barrier planar heterostructure-barrier-varactors (HBVs) to be used in frequency triplers. The fabrication process and the DC and RF testing results are discussed. The measured results are evaluated by a newly developed combined genetic algorithm/harmonic balance simulator to calculate the optimum impedance and output power at 255 GHz. Different HBV structures were fabricated, and a comparison of their conversion efficiency is presented.     

Impact of strain on hot electron reliability of dual-band power amplifier and integrated LNA-mixer RF performances

Channel hot-electron-induced degradation on strained MOSFETs is examined experimentally. BSIM stressed model parameters are extracted from measurement and used in Cadence SpectreRF simulation to study the impact of channel hot electron stress on dual-band class-E power amplifier and integrated low-noise amplifier-mixer RF performances. Channel hot electron effect decreases power efficiency of dual-band class-E power amplifier and increases the noise figure of low-noise amplifier-mixer combined circuit.