全文获取类型
收费全文 | 4197篇 |
免费 | 905篇 |
国内免费 | 485篇 |
专业分类
化学 | 446篇 |
晶体学 | 32篇 |
力学 | 55篇 |
综合类 | 34篇 |
数学 | 35篇 |
物理学 | 1457篇 |
无线电 | 3528篇 |
出版年
2024年 | 17篇 |
2023年 | 31篇 |
2022年 | 57篇 |
2021年 | 73篇 |
2020年 | 102篇 |
2019年 | 87篇 |
2018年 | 67篇 |
2017年 | 127篇 |
2016年 | 139篇 |
2015年 | 158篇 |
2014年 | 301篇 |
2013年 | 272篇 |
2012年 | 349篇 |
2011年 | 409篇 |
2010年 | 315篇 |
2009年 | 304篇 |
2008年 | 385篇 |
2007年 | 355篇 |
2006年 | 338篇 |
2005年 | 292篇 |
2004年 | 260篇 |
2003年 | 251篇 |
2002年 | 169篇 |
2001年 | 167篇 |
2000年 | 113篇 |
1999年 | 72篇 |
1998年 | 60篇 |
1997年 | 51篇 |
1996年 | 58篇 |
1995年 | 40篇 |
1994年 | 47篇 |
1993年 | 30篇 |
1992年 | 27篇 |
1991年 | 19篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 13篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1972年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有5587条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances. 相似文献
2.
Dong‐Wook Kim 《ETRI Journal》2006,28(1):84-86
This letter presents a small‐sized, high‐power single‐pole double‐throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow‐wave characteristic, the DGS is used for the quarter‐wave (°/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt‐connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt‐type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns. 相似文献
3.
4.
宽带DDS跳频源设计 总被引:1,自引:0,他引:1
直接数字合成(DDS)简单可靠、控制方便,具有很高的频率分辨率,高速转换,非常适合快速跳频的要求。在对DDS基本原理进行了简要介绍和分析后,提出宽带跳频源设计方案。 相似文献
5.
6.
7.
随着光电器件的广泛应用,微机械光开关成为核心光交换器件的主流。在研发过程中,其器件检测手段成为人们所关注的话题。本文介绍了一种新颖的测量平台,通过高幅值利用单片机控制脉冲频率的方法来选择器件。与当前同类方法相比,具有精度高、可靠性强、成本低、易操作等特点,具有广阔的使用前景。 相似文献
8.
介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构,分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰(EMI)的产生机制,提出了具体的电磁兼容(EMC)技术措施并得到实验验证。 相似文献
9.
近年来国内外射频电缆组件的发展很快,射频电缆组件的性能不断提高,对射频电缆组件组装工艺也提出了更高的要求.射频电缆组件组装过程多是手工操作,产品的一致性及性能很难控制,要求有良好的工艺保证,为此介绍了射频电缆组件组装工艺,包括电缆的裁剪及剥皮、内导体的连接、外导体的连接和电气性能的测试;探讨了在组装过程中应注意的问题,以及针对内导体焊接易出现虚焊问题进行研究. 相似文献
10.