CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

Design of High Speed AWGN Communication Channel Emulator

This paper presents a method for designing a high accuracy white gaussian noise generator suitable for communication channel emulation. The proposed solution is based on the combined use of the Box-Muller method and the central limit theorem. The resulting architecture provides a high accuracy AWGN with a low complexity architecture for a digital implementation in FPGA. The performance is studied by means of MATLAB simulations and various complexity figures are given.     

实用型5GHz带宽InGaAs／InP PIN光电探测器

设计并研制成功了实用型５ＧＨｚ带宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，介绍了限制探测器响应速度的主要因素，微波封装的理论依据，以及所研制器件频率响应的测试结果。     

晶体型二阶偏振模色散模拟器

报道了一种新型的二阶晶体型偏振模色散(PMD)模拟器,其由3片可产生不同的一阶PMD差分群延迟(DGD)的晶体和1个法拉第旋转器组成,法拉第旋转器理论上可在180°内连续变化。该二阶PMD模拟器实验上能近似模拟从50到200 ps2的二阶PMD。给出了二阶PMD随偏置电压变化的曲线。实验表明,该器件输出的重复性好,响应时间小于1 ms,实验值与理论值近似符合。     

三层以太网交换机的BSP设计及实现

文章介绍了三层交换机的硬件设计构架,重点对其板级支持包(BSP)及系统启动过程做了详细的分析;不仅分析了启动引导部分和系统启动部分的设计体系,还描述了启动引导部分和系统启动部分的实现过程,以及BSP主要函数实现的功能及相互之间的关系.最后,针对本三层交换机系统做了优化.     

用偏振模色散模拟器加偏振片实现带内光信噪比检测

提出了一种基于偏振模色散(PMD)模 拟器加偏振片的带内检测光信噪比(OSNR)的方法,理论分析了检测方 法的工作原理,证明了方法不受光纤链路色散和PMD的影响,并且与信号偏振态 、调制格式及传输 速率无关。测试结果表明:在9dB到34dB的测量范围 内,本文检测方 法的测量误差在0.5dB内;在1dB的测量误差范围内,对偏振相关损 耗(PDL)的容忍范围为1dB。     

后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。     

基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析

本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔.分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能;讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系.最后设计了封装的工艺流程.利用该封装结构可以降低芯片的封装尺寸,提高器件的发光效率和散热特性.     

盐雾腐蚀对不同封装形式集成电路性能的影响

通过分析塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装和金属封装集成电路的材料成分,得出它们抵抗盐雾的腐蚀能力。根据市场的使用情况,选用塑封、陶封、玻封三种封装形式的集成电路按照6种不同的试验条件进行盐雾试验。文章通过对试验后的结果进行比较和分析,得出在正常盐雾腐蚀条件下, 它们性能受到影响的大小;在不同盐雾溶液和不同的温度条件下,陶瓷封装电路的性能也发生了变化。最后对塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装电路的抗盐雾腐蚀能力进行了总结。     

电子封装用SiC_p／Cu复合材料制备与性能

采用挤压铸造方法制备了体积分数为55％、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp／Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律。显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率。复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大。