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1.
本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。 相似文献
2.
设计并研制成功了实用型5GHz带宽InGaAs/InP PIN光电探测器,介绍了限制探测器响应速度的主要因素,微波封装的理论依据,以及所研制器件频率响应的测试结果。 相似文献
3.
文章介绍了三层交换机的硬件设计构架,重点对其板级支持包(BSP)及系统启动过程做了详细的分析;不仅分析了启动引导部分和系统启动部分的设计体系,还描述了启动引导部分和系统启动部分的实现过程,以及BSP主要函数实现的功能及相互之间的关系.最后,针对本三层交换机系统做了优化. 相似文献
4.
后摩尔时代的封装技术 总被引:2,自引:2,他引:2
童志义 《电子工业专用设备》2010,39(6):1-8
介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。 相似文献
5.
6.
盐雾腐蚀对不同封装形式集成电路性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
通过分析塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装和金属封装集成电路的材料成分,得出它们抵抗盐雾的腐蚀能力。根据市场的使用情况,选用塑封、陶封、玻封三种封装形式的集成电路按照6种不同的试验条件进行盐雾试验。文章通过对试验后的结果进行比较和分析,得出在正常盐雾腐蚀条件下, 它们性能受到影响的大小;在不同盐雾溶液和不同的温度条件下,陶瓷封装电路的性能也发生了变化。最后对塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装电路的抗盐雾腐蚀能力进行了总结。 相似文献
7.
8.
Heinrich Wolf Horst Gieser Wolfgang Stadler Wolfgang Wilkening 《Microelectronics Reliability》2005,45(2):279-285
This paper describes a new test method called capacitively coupled transmission line pulsing cc-TLP. It is applied to different test circuits which were mounted on specially designed package emulators with a defined background capacitance. The test results are compared with the ESD thresholds obtained by CDM tests. The cc-TLP results correlate well with the CDM data. 相似文献
9.
摘要文章概述了埋置有源元件的重要意义和主要埋嵌方法。它较详细地评述了三种埋嵌有源元件方法——“先”埋嵌有源元件、“中间”埋嵌有源元件和“最后”埋嵌有源元件,而“最后”埋嵌有源元件是较好的方法。文章提供了“最后”埋置有源元件的样品与效果。 相似文献
10.
揭示了在摩尔定律即将失效的大背景下,电子信息产业的开发思维、生产方式将发生一系列变革;阐述了3D封装将是电子产业发展的必然趋势;反映了检测手段的提高是3D封装目前面临的主要难题。分析了我国信息电子产业在此环境下所面临的机遇和挑战。 相似文献