MCF5282的I2C总线在uClinux操作系统下的驱动程序设计

介绍了Freescale公司嵌入式微处理器MCF5282的原理、特点,给出了该处理器在嵌入式操作系统uClinux下通过I2C硬件扩展数字输入的原理,以及I2C总线的驱动程序设计流程.     

Windows2000环境下实时控制系统的软件实现

文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM（Windows Driver Model）设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号．通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明：在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪，证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题，为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。     

自适应电子镇流器控制器IR2520原理及应用

IR2520是自适应镇流器控制器与600V半桥驱动器单片IC ,可用来驱动半桥配置中的荧光灯。文中介绍了IR2520的主要特点和基本原理 ,给出了它的典型应用电路。     

A compact shock-assisted free-piston driver for impulse facilities

A free-piston driver that employs entropy-raising shock processes with diaphragm rupture has been constructed, which promises significant theoretical advantages over isentropic compression. Results from a range of conditions with helium and argon driver gases are reported. Significant performance gains were achieved in some test cases. Heat losses are shown to have a strong effect on driver processes. Measurements compare well with predictions from a quasi-one-dimensional numerical code. Received 7 September 1996 / Accepted 5 October 1996     

遥感器CCD驱动器热设计及其在摄像过程中的温度变化

CCD驱动器是航天成像遥感器摄像过程中的主要热源之一。防止CCD驱动器过热是保证其正常工作的重要方面。介绍了遥感器的工作模式和对CCD驱动器采取的热控制措施。通过热平衡试验,利用回归的方法,对CCD驱动器在摄像过程中的温度变化规律进行了分析,同时对热控制效果进行了评估。CCD驱动器工作时升温速率在0.85℃/min左右,整个摄像过程中最高温度约为26℃,所实施的热控制措施效果理想。     

新闻直播系统中字幕机备份及应急处理实例

简单介绍新闻直播系统中字幕机的接入方法、备份机制、数据共享以及应急处理方案。     

基于ARX模型的压电智能结构振动预测控制

采用预测控制法对压电智能结构的振动主动控制进行了实验研究，通过实验方法建立了系统的ARX模型，并在此基础上设计了预测控制器对结构进行振动主动控制。实验结果验证了该方法在压电智能结构振动主动控制中的可行性和有效性。     

多功能半导体激光医疗仪电源的研制

根据“多功能半导体激光医疗仪”整机的要求,采用同一电源对667nm和808nm半导体激光器实施供电。为避免电源在开、关机时对半导体激光管产生浪涌冲击,电源在设计中采用了适当的逻辑功能。并可保证对667nm激光器供电时,即使打开808nm激光器供电开关,也不对808nm半导体激光器供电,反之亦然。电源设有手动、计算机两种控制方法,及恒定功率、电流两种工作方式。     

Polarization inscription in ferroelectric (111) PZT and (100) SBT films

Ferroelectric thin films form an equilibrium domain structure compatible with their respective crystallographic symmetry. In tetragonal (111) PZT, 90° domains prevail; in (pseudo-tetragonal) (100) SBT both 90° and 180° domains are present. The size of 90° domains has been measured for e.g., PZT as slabs of 15 nm width. Domain size is a result of stress minimization in the film during the paraelectric (PE) → ferroelectric (FE) transition. A precise and regular domain pattern for (111) PZT and (100) SBT films has been investigated in detail by TMSFM. Single domains can be addressed mechanically with the tip of an AFM. Such single domain switching corresponds to a data storage density of 200 Gbit/inch². Applications of ferroelectric and high- paraelectric materials for e.g., non-volatile data storage replacing DRAM devices or as sensors in infrared cameras are increasingly becoming popular.     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。