发光二极管(LED)在照明市场中的光明前景制约LED在普通照明领域被接受的几个因素

尽管发光二极管将逐渐地成为明天的普通照明光源,但仍存在一些制约其被市场接受的因素.可以预见,被市场接受的速度是多方面的,主要原因是LED并非是能一对一地去替换常用的光源.这是因为人们不仅要求LED应成为具有高发光效率和使用寿命长的光源,而且还应该具有宽范围的真实颜色复现功能和合适的色温.     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

长春光机所在国际上首次实现ZnO pn结室温电致发光

由长春光机所、厦门大学共同承担的重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”已通过国家自然科学基金委员会信息科学部专家组的中期检查验收。经过刻苦攻关，项目组在关键问题上取得了突破，在国内率先获得了ZnO同质结的电致发光，并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的Zn Opn结室温电致发光，为今后ZnO蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。     

带可变LED显示的发光衣

Philips公司在今年9月1～6日德国柏林国际电子消费品博览会（IFA2006）上展出的Lumalive发光纺织品，可以显示动态广告、图案或者色彩绚丽的外表。虽然该技术只是最近发展起来的（更早的原型在IFA2005上已经展示），但Philips研究所目前已经可以将发光纤维织成衣物。应用该技术的第一代夹克即将投入市场。     

双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究

在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系.     

随机激光器的最新进展

综述了近年来随机激光器的最新研究结果，包括随机激光产生的机制，随机增益介质的制备方法，随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后，介绍了随机激光器的应用前景。     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

光通信技术发展的新亮点

自光通信问世以来，经历了研究探索、实用化、推广应用、快速发展等时期，直至2001年，达到急剧发展的高潮。随着世界经济的滑坡，通信行业的不景气，使光通信也进入了寒冷的冬天。实际上，即使在经济低速的时期，光通信的技术依然没有停止发展，而且出现了不少继续将光通信推向前进的新亮点。从技术和应用的角度，简要介绍一些光通信的新技术。