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1.
叶禹康 《固体电子学研究与进展》1994,14(3):272-276
叙述了外内向功率波复数比的测量方法,给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅GaAsMESFET适用散射参数,并用它设计S波段混合集成双栅GaAsMESFET可控增益放大器。测试结果与设计吻合。 相似文献
2.
3.
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W. 相似文献
4.
An improved analytical model for the current-voltage (I-V) characteristics of the 4H-SiC metal semiconductor field effect transistor (MESFET) on a high purity semi-insulating (HPSI) substrate with trapping and thermal effects is presented. The 4H-SiC MESFET structure includes a stack of HPSI substrates and a uniformly doped channel layer. The trapping effects include both the effect of multiple deep-level traps in the substrate and surface traps between the gate to source/drain. The self-heating effects are also incorporated to obtain the accurate and realistic nature of the analytical model. The importance of the proposed model is emphasised through the inclusion of the recent and exact nature of the traps in the 4H-SiC HPSI substrate responsible for substrate compensation. The analytical model is used to exhibit DC I-V characteristics of the device with and without trapping and thermal effects. From the results, the current degradation is observed due to the surface and substrate trapping effects and the negative conductance introduced by the self-heating effect at a high drain voltage. The calculated results are compared with reported experimental and two-dimensional simulations (Silvaco®-TCAD). The proposed model also illustrates the effectiveness of the gate-source distance scaling effect compared to the gate-drain scaling effect in optimizing 4H-SiC MESFET performance. Results demonstrate that the proposed I-V model of 4H-SiC MESFET is suitable for realizing SiC based monolithic circuits (MMICs) on HPSI substrates. 相似文献
5.
6.
基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。 相似文献
7.
8.
利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。 相似文献
9.
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
10.
SiC MESFET反向截止漏电流的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容. 相似文献