离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜

应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1－xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比（G）,制备了G从40％到85％的Ge1－xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1－xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1－xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60％,85％时Ge1－xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1－xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.     

提高考夫曼型离子源束流密度的研究

本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。     

254 nm低通滤光片的研制

根据紫外光学系统的设计要求,在K9基底上研制了254 nm高反射率、可见光谱区高透过率的低通滤光片.根据膜系设计理论,通过针法优化,获得了干涉型低通滤光片的膜系;对电子束蒸镀HfO_2和MgF_2材料进行了研究,解决了材料喷溅的问题,减少了薄膜的吸收;采用考夫曼离子源,通过优化工艺参数,提高膜层致密性,解决了光谱曲线漂移的问题,改善了成膜质量.     

基于流角色检测P2P botnet

提出了一种基于流角色的实时检测P2P botnet的模型,该模型从流本身的特性出发,使其在检测P2P botnet时处于不同的角色,以发现P2P botnet的本质异常和攻击异常,同时考虑到了网络应用程序对检测的影响。为进一步提高检测精度,提出了一种基于滑动窗口的实时估算Hurst指数的方法,并采用Kaufman算法来动态调整阈值。实验表明,该模型能有效检测新型P2P botnet。     

离子束刻蚀设备中离子源故障诊断和维修

介绍了离子束加工技术在半导体工艺中的应用以及离子束刻蚀机的真空和控制系统、Veeco直流栅极离子源及其电源MPS-5001的结构和工作原理、PBN中和器的原理和作用。介绍了离子源电源参数的调整技巧及需要注意的问题,在此基础上给出了离子源常见故障现象的原因及解决办法。     

深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点.