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1.
The growth-fragmentation equation describes a system of growing and dividing particles, and arises in models of cell division, protein polymerisation and even telecommunications protocols. Several important questions about the equation concern the asymptotic behaviour of solutions at large times: at what rate do they converge to zero or infinity, and what does the asymptotic profile of the solutions look like? Does the rescaled solution converge to its asymptotic profile at an exponential speed? These questions have traditionally been studied using analytic techniques such as entropy methods or splitting of operators. In this work, we present a probabilistic approach: we use a Feynman–Kac formula to relate the solution of the growth-fragmentation equation to the semigroup of a Markov process, and characterise the rate of decay or growth in terms of this process. We then identify the Malthus exponent and the asymptotic profile in terms of a related Markov process, and give a spectral interpretation in terms of the growth-fragmentation operator and its dual.  相似文献   
2.
This paper deals with the Cauchy–Dirichlet problem for the fractional Cahn–Hilliard equation. The main results consist of global (in time) existence of weak solutions, characterization of parabolic smoothing effects (implying under proper condition eventual boundedness of trajectories), and convergence of each solution to a (single) equilibrium. In particular, to prove the convergence result, a variant of the so-called ?ojasiewicz–Simon inequality is provided for the fractional Dirichlet Laplacian and (possibly) non-analytic (but C1) nonlinearities.  相似文献   
3.
In view of immense importance of silylenes and the fact that their properties undergo significant changes on substitution with halogens, here, we have used B3LYP/6-311++G** level of theory to access the effects of 1–4 halogens (X = F, Cl, Br, and I) on four unprecedented sets of cyclopentasilylene-2,4-dienes; with the following formulas: SiC4H3X ( 1 X ), SiC4H2X2 ( 2 X ), SiC4HX3 ( 3 X ), and SiC4X4 ( 4 X ). In going down from F to I, the singlet (s)-triplet (t) energy gap (ΔEs-t, a possible indication of stability), and band gap (ΔEH-L) decrease while nucleophilicity (N), chemical potential (μ), and proton affinity (PA) increase. The overall order of N, μ, and PA for each X is 2 X > 1 X > 3 X > 4 X . Precedence of 2 X over 1 X is attributed to the symmetric cross conjugation in the former. The highest and lowest N are shown by 2 I and 4 F . The trend of divalent angle () for each X is 4 X > 1 X > 3 X > 2 X . The results show that in going from electron withdrawing groups (EWGs) to electron donating groups (EDGs), the ΔEs-t and ΔEH-L decrease while N, μ, and PA increase. Also, rather high N of our scrutinized silylenes may suggest new promising ligands in organometallic chemistry.  相似文献   
4.
1 IntroductionMaterialswithPhotonicBandGaps (PBG’s)havebeenwidelystudiedboththeoreticallyandex perimentallyinthepastfew years[1~ 4] .Theexis tenceofgaps,which prohibitthepropagationofelectromagnetic (EM )wavesinacertainrangeoffrequencies,canhavesignificantimpactsbothinsci enceandtechnology .Manypracticalapplicationsofthesestructureshavebeensuggestedanddemon strated ,suchasPhotonicCrystal (PC)microcavi ties[5] ,infraredPC[6] ,PClens[7] ,suppressingspontaneousemission ,manipulatinglight…  相似文献   
5.
低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。  相似文献   
6.
This letter presents a new polarizer which has a simple comb structure inside a circular waveguide. The electrical performance of the proposed comb polarizer is optimized by a circular waveguide radius and by the physical parameters of the comb plates. This polarizer is suitable for providing good performance in millimeter‐band application because of its simple structure and low fabrication cost. In our experiments the dual‐band comb polarizer designed in band 1(K) and band 2(Ka) showed good electrical performance without any tuning elements.  相似文献   
7.
王友权 《现代电子技术》2004,27(24):64-65,68
随着计算机技术日新月异的发展。计算机控制已经深入到了各个领域,特别是在工业控制领域,计算机通过ISA总线与接口电路进行通信,然后由接口电路去控制被控设备,从而完成预期的控制工作.  相似文献   
8.
IEEE 802.11g性能分析及应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
全面介绍IEEE802.11g标准的无线局域网,详细讲述IEEE802.11g草案标准的概念、产生背景、特点、构件及其体系结构和发展前景,探讨实现IEEE802.11gWLAN所需的关键技术及其双频多模应用方式,同时分析IEEE802.11g标准的网络性能。  相似文献   
9.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。  相似文献   
10.
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