一种在线烧写Flash的方法研究与实现

本文介绍了一种基于VXI总线，共享存储器的Flash ROM在线烧写方法，阐述了系统的功能，并给出了系统的硬件组成和软件设计。     

串行存储器MM36SB020与单片接口技术

本文简单介绍了MEGAWIN公司生产的e-Flash存储器MM36SB020，讲述了它的特点、结构、指令集并给出了它的读写程序．该串行Flash存储器因体积小、密度高、功耗低、操作简单而倍受青昧，具有掉电保存数据的特点．     

夏日风暴 KDDI新机三款

日本KDDI/au日前正式发布CDAIX W21系列三款新极——W21K，W21SA和W21S，分别由京瓷，三洋和索尼爱立信公司生产。三款手机都配备了有万像素以上级别的内置摄像头，W21SA更是内置200万像素的CCD摄像头，W21SA和W21S还支持QVSA规格的动态摄像。和以往产品相比，这三部新机的主要特征包括：都使用基于AMR9处理器的高通MS6500芯片，支持高速数据传输，支持BREW2.1版本，使用了大容量的BREW Appll，搭载Macromedia Flash动画功能以及支持UUU1.1等。     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

光折变三维信息存储器

分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程.     

多标准视频硬件解码器的存储器地址映射方法

提出了一种支持多标准视频的存储器地址映射方法,用一个简洁的公式把视频图像映射到DDR SDRAM的存储空间.该方法兼顾运动补偿模块、去块效应滤波模块(或重建模块)和显示模块的不同需求特点,通过充分减少DDR SDRAM非读写命令的额外延时,达到较高的存储器接口效率.