用CPLD实现SRAM工艺FPGA的安全应用

提出了一种利用CPLD产生的伪随机码来加密SRAM工艺FPGA的方法,并详细介绍了具体的电路和VHDL代码。     

一维长序DFT的协处理阵列结构设计与实现

文章针对一维长序DFT计算问题，分析其计算结构以及算法的并行性，提出一种阵列协处理结构．并分析这种协处理机结构上DFT计算的组织及具体实施算法步骤和方法，并对这种协处理阵列结构上运行的DFT进行复杂性分析。这对计算DFT专用集成协处理结构芯片开发，提高专用嵌套系统性能非常实用。     

High-throughput screening of fuel cell electrocatalysts

The drawbacks of our earlier report of preparing fuel cell catalyst arrays by borohydride reduction of inkjet prepared arrays of metal salts are discussed along with the need for inclusion of state-of-the-art metrics in all array screening. An alternative method for screening of hydrogen/air cathode catalysts, direct methanol fuel cell (DMFC) anode catalysts, and catalyst loading studies is provided. State-of-the-art Johnson Matthey catalysts were used in control experiments to demonstrate the utility of the array fuel cell for high throughput screening of fuel cell catalysts in the 3-4 mg/cm² range. This report lays out hard learned rules for high throughput screening and demonstrates that the array fuel cell can be used for very precise screening of libraries of membrane electrode assembly (MEA) components without the pitfalls discussed in the introduction.     

一种多径环境下基于四阶累积量的阵列扩展测向方法

本文分析了基于四阶累积量的测向方法不能正确测量多径信号方向的原因，提出了一种多径环境下的基于四阶累积量的新型测向方法。该方法利用零点领处理方法抑制多径信号，然后采用四阶累积量进行阵列扩展测向。计算机模拟结果表明该方法在多径环境下具有良好的性能并且可能实现对足够多的信号进行测向。     

半导体激光器列阵有源区电场随电流变化的定点测量

采用连续波电光检测法，对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器列阵有源区进行定点测量，实验结果反映了发光区内及发光区外电场随电流变化的不同规律。文中对实验结果给出了合理解释。     

稀疏阵列天线综合的遗传算法优化

通过遗传算法优化选择常规满阵中一定比例的工作单元,使阵列在欠饱和状态下达到窄波束低副瓣的要求。以单元的工作状态和激励幅度为优化参量,波束宽度和副瓣电平为适值函数,通过适值缩放和多种群进化竞争使遗传进化稳定地收敛到全局最优。详细分析了稀疏阵的单元布局、稀疏率及单元激励对优化阵列特性的影响。     

基于空间平滑的矩阵分解算法

本文研究了协方差矩阵分解算法解相关的问题,提出了一种修正的矩阵分解算法-基于空间平滑的矩阵分解（SSMD）算法。SMMD算法能在低信噪比条件下的估计相干信源,且估计精度比原修正的算法高,计算量比原修正算法小,最后通过大量的计算机仿真实验来说明矩阵修正算法的性能。     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

采用氮气氛保护的再流焊接技术

叙述了先进再流焊接技术的新发展,描述了提高BGA再流焊接效果的工艺要点,优化倒装芯片再流焊接和固化的新方法。最后,讲述了先进的降低氮消耗量的方法即:通过最大限度地提高潜在收益,以促进再流焊接技术的发展,以此来满足装配厂商的需要。     

10W QCW operation of a proton implanted GaAlAs diode laser array

We report one thick layer of hard-baked photoresist mask.The laser array stripe pattern was defined by standard wet lithography.With this mask, a 10 W QCW(quasi-continuous wave) operation of a narrow proton implanted multiple stripe conventional single quantum well separate confinement heterostructure(SQW-SCH) GaAlAs diode laser array has been realized.These devices exhibit the lateral far-field radiation pattern of a phase-locked array of gain-guided semiconductor injection laser array. The twenty stripe laser array has a lateral far-field beam divergence full width at half maximum (FWHM) of less than 3°, and three twenty stripe laser array has a beam divergence in the plane of the junction of about 9°.