铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

LES of turbulent heat transfer: proper convection numerical schemes for temperature transport

Large eddy simulations of two basic configurations (decay of isotropic turbulence, and the academic plane channel flow) with heat transfer have been performed comparing several convection numerical schemes, in order to discuss their ability to evaluate temperature fluctuations properly. Results are compared with the available incompressible heat transfer direct numerical simulation data. It is shown that the use of regularizing schemes (such as high order upwind type schemes) for the temperature transport equation in combination with centered schemes for momentum transport equation gives better results than the use of centred schemes for both equations. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd.     

基于IAR EW430开发环境的FRAM应用研究

本文基于TI的MSP-EXP430FR5739 LaunchPad硬件评估套件和IAR EW430 IDE开发环境,研究了MSP430FR5739型MCU的FRAM分区配置方法,分别采用程序代码关键字声明法及面对复杂应用满足更高定制要求时修改XLINK配置文件法共两种方法实现了分区调配,编写了相应测试程序进行实验,验证结果达到了预期.同时对实际应用中FRAM分区后应进行MPU保护做出阐述,本文提出的方法可用于MSP430FR系列其他型号MCU器件的FRAM调配.     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中的应用

FM24C16是美国Ramtron公司以铁电晶体为材料生产的铁电存储器(FRAM)，和一般的EEPROM比较，其具有无写延时、超低功耗、无限次写入等超级特性，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且其与单片机接口电路简单，应用方便．本文对FM24C16的工作原理、应用电路及应用程序做了比较详细的介绍．     

An asymmetrical sensing scheme for 1T1C FRAM to increase the sense margin

A novel asymmetrical current-based sensing scheme for 1T1C FRAM is proposed,in which the two input transistors are not the same size and a feedback NMOS is added at the reference side of the sense amplifier.Compared with the conventional symmetrical scheme in Ref.[8],the proposed scheme increases the sense margin of the readout current by 53.9%and decreases the sensing power consumption by 14.1%,at the cost of an additional 7.89%area of the sensing scheme.An experimental FRAM prototype utilizing the prop...     

Pu300能量窗钚年龄算法

美国LLNL提出了采用钚材料γ谱的330—350keV(Pu300)能量窗计算钚年龄, 用此能量窗建立了相关钚年龄算法, 并对几个不同样品的谱数据进行了计算, 并将其结果与PC/FRAM的结果进行比较, 结果表明两者吻合得比较好.     

一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现

文章提出了一个基于VLSI的4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2T－2C的存储单元设计,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的E^2PROM 24C04在接口、电学特性上完全兼容,可以在24C04的电路应用中直接代替之。     

铁电存储器技术

详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。     

铁电存储器FM3116在工程机械监控系统中的应用

铁电存储器是一种新兴的非易失性存储器，FM3116是RAMTRON公司新推出的铁电存储器芯片，该芯片具有非易失性存储、实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器等功能。文章在简要介绍了FM3116芯片的基础上，给出了一个基于FM3116和80C196单片机的数据记录系统的设计方法，该系统已成功应用于某工程机械安全监控系统中。