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在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1~2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1~2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。 相似文献
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LIUBao-lin 《半导体光子学与技术》2002,8(1):9-13
Low-pressure MOCVD has been used to investigate the properties of low-temperature buffer layer depodition conditions and their influence on the properties of high-temperature GaN epilayers grown subsequently.It is found that the surface morphology of the as-grown buffer layer after thermal annealing at 1030℃and 1050℃ depends strongly on the thickness of the buffer layer.In particular when a thick buffer layer is used, large trapezoidal nuclei are formed after annealing. 相似文献
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在相同的生长条件下,分别在高质量的GaN 和 AlN 模板上生长InAlN外延层。 测试结果显示:本实验的两个样品的In组分均为~16%,但在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的样品。其中,在GaN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为309.3″和339.1″,样品表面的粗糙度为0.593 nm,v坑密度约为4.2108cm-2;而在AlN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为282.3″和313.5″,样品表面的粗糙度为0.39 nm,v坑密度约为2.8108cm-2 。综合以上结果可初步得知,在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的InAlN外延层,因此,相对于GaN模板来说,AlN模板更适宜高质量的InAlN 外延层的生长。 相似文献
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