Electronic structure and absolute band edge position of tetragonal AgInS2 photocatalyst: A hybrid density functional study

Energy bands, effective mass of carriers, absolute band edge positions and optical properties of tetragonal AgInS₂ were calculated using a first-principles approach with the exchange correlation described by B3LYP hybrid functional. The results indicate that tetragonal AgInS₂ has a direct band gap of 1.93 eV, which reproduce well experimental value. Calculated effective masses of electrons and holes are both small which are beneficial to separation and migration of electron and hole pairs. This implies that AgInS₂ has good photocatalytic performance. The calculated optical characteristics indicate that AgInS₂ has a slight anisotropy for both the real and imaginary parts of the dielectric function and exhibits large optical absorption in the visible light region. Furthermore, the calculated band edge positions in (100), (010) and (001) surfaces indicate that tetragonal AgInS₂ is beneficial to the reduction and oxidation of water to hydrogen and oxygen under visible light irradiation.     

2020年电子电路技术热点

文章归纳了2020年电子电路产业一些技术热点,主要有5G电路板设计和基材,制造方面半加成法、3D打印、直接金属化孔电镀和垂直互连结构等技术,以及集成电路封装载板技术。     

面向消费类电子产品的自动化生产线成组技术

针对现代消费类电子产品快速更新换代的现状, 介绍了该类产品的自动化生产线成组技术,阐述了通过度量消费类电子产品相似性和派生性特征,对产线进行成组编码的原理,研究产线工位单元的建模方法,描述了建模内容,并通过有无装载板的产线结构,论述了产线成组编码集成的途径和方法.     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

质量控制图系统的实现及在SMT中的应用

本文将控制图理论与计算机技术相结合,开发了质量控制图系统.介绍了该系统的设计方案和关键技术问题,并以电子产品制造中监控SMT机的焊膏厚度为例说明了系统的应用.     

开关电源的平均电流自动均流技术

针对多个开关电源并联时易出现负载电流在各模块间分配不均的现象,介绍了常用的负载电流自动均流法——平均电流自动均流法及其工作特性。并针对其存在母线电压降低的缺陷,提出了一种改进的平均电流自动均流方法,经试验证明均流精度比较高。     

数字电路中电源电压瞬间下降的成因及改进

通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

车载电子设备机柜布线工艺设计

对电子机柜传统的走线方式进行了分析、解剖，提出了新的走线方案模式，从工艺角度对机柜走线结构进行了改进设计，使之更适合于车载机柜的布线要求。