用CPLD实现SRAM工艺FPGA的安全应用

提出了一种利用CPLD产生的伪随机码来加密SRAM工艺FPGA的方法,并详细介绍了具体的电路和VHDL代码。     

TD-SCDMA系统终端中的GMM功能实体研究

移动性管理(MM,MobilityManagement)是层3的一个子层,它主要完成与用户的移动性相关的一些功能。根据业务的分域划分,MM子层被分为支持CS模式的MM实体和支持PS模式的GMM实体。本文通过对GMM一般过程和特殊过程的描述,介绍了TD-SCDMA系统终端GMM实体的功能及其实现过程。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

数字电视用户管理系统

课题实现了数字电视用户管理系统的设计与开发,以Oracle数据库作为后台数据库,以C Builder 6作为前台开发工具,包括表的设计与界面的设计.实现了数字电视用户管理系统基本功能,基本上满足了实际商业运营的需要.     

身份管理渐行其道

目前人们面临的网络安全问题越来越严峻，不仅包括计算机病毒、垃圾电子邮件等的挑战，对信息资源的有效存取保护要求也在提高。身份管理技术能对用户身份标识进行集中与简化管理，实现安全、简便登录等功能，不但削减了投入和维护成本，还提高了效率，因此近来得到迅速发展。2003年的调查显示，身份管理在安全产品市场增幅达45％；在各企业应用普及率已达到17.9％。但身份管理还需要解决提高单点登录安全性，实施多方可靠数字身份以及本身复杂性等问题。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

幅相一致行波管高频电路CAD研究

 在行波管的设计和装配过程中，各部件的尺寸必须严格控制，高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型，模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响，为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。     

基于VW2010芯片的嵌入式多媒体监控系统压缩/解压卡设计

在简要分析了多媒体监控系统发展现状的基础上，提出了一种基于VW2010压缩／解压芯片的多媒体压缩／解压卡的设计方案，给出了基于VW2010的多媒体监控系统压缩和解压卡的硬件结构图以及在Linux系统下VW2010的驱动程序，同时给出了在Linux Redhat7．3下编写的测试程序，并进行了全面的测试。     

关于本地传输网网络优化的探讨

根据长期工作经验,对现有网络存在的问题进行分析,提出对本地传输网网络优化的有关建议。     

横向射流式单重态氧发生器的性能实验研究

 对氧碘化学激光器的单重态氧发生器（SOG）进行了改进，采用横向射流方式，并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在－16℃左右,氯气流量为530mmol/s，He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下，最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。