采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .     

DSOI-a novel structure enabling adjust circuit dynamically

A double silicon on insulator (DSOI) structure was introduced based on fully depleted SOI (FDSOI) technology. The circuit performance could be adjusted dynamically through the separate back gate electrodes applied to N-channel and P-channel devices. Based on DSOI ring oscillator (OSC), this paper focused on the theoretical analysis and electrical test of how the OSC''s frequency being influenced by the back gate electrodes (soi2n, soi2p). The testing results showed that the frequency and power consumption of OSC could change nearly linearly along with the back gate bias. According to the different requirements of the circuit designers, the circuit performance could be improved by positive soi2n and negative soi2p, and the power consumption could be reduced by negative soi2n and positive soi2p. The best compromise between performance and power consumption of the circuit could be achieved by appropriate back gate biasing.     

单管体硅,SOI及DSOI MOSFET热分析

本文简单介绍了SOI和 DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及 DSOI MOSFET的热阻模型。进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSPET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果。     

一种结构调整后的DSOI器件

提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.     

亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质。结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态。     

应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备

利用低剂量、低能量的SIMOX（separation by implanted oxygen）图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下，可以得到间隔为180nm的埋氧层．通过TEM（transmission electron microscope）观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷．该结果为DSOI（dain/source on insulator）器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础．     

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺,在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件.通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性.模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比,具有衬底热阻较低的优点,因而DSOI器件在保持SOI器件电学特性优势的同时消除了SOI器件严重的自热效应.DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势.