全文获取类型
收费全文 | 2974篇 |
免费 | 582篇 |
国内免费 | 405篇 |
专业分类
化学 | 1163篇 |
晶体学 | 14篇 |
力学 | 97篇 |
综合类 | 17篇 |
数学 | 423篇 |
物理学 | 876篇 |
无线电 | 1371篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 41篇 |
2022年 | 71篇 |
2021年 | 86篇 |
2020年 | 88篇 |
2019年 | 92篇 |
2018年 | 75篇 |
2017年 | 91篇 |
2016年 | 134篇 |
2015年 | 126篇 |
2014年 | 174篇 |
2013年 | 229篇 |
2012年 | 209篇 |
2011年 | 232篇 |
2010年 | 215篇 |
2009年 | 232篇 |
2008年 | 216篇 |
2007年 | 239篇 |
2006年 | 184篇 |
2005年 | 168篇 |
2004年 | 159篇 |
2003年 | 148篇 |
2002年 | 109篇 |
2001年 | 93篇 |
2000年 | 79篇 |
1999年 | 75篇 |
1998年 | 67篇 |
1997年 | 55篇 |
1996年 | 57篇 |
1995年 | 53篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 28篇 |
1991年 | 17篇 |
1990年 | 9篇 |
1989年 | 10篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1977年 | 2篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有3961条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1.
在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。 相似文献
2.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
3.
Alessandro Morando Paola Trebeschi Tao Wang 《Journal of Differential Equations》2019,266(9):5397-5430
We show the short-time existence and nonlinear stability of vortex sheets for the nonisentropic compressible Euler equations in two spatial dimensions, based on the weakly linear stability result of Morando and Trebeschi (2008) [20]. The missing normal derivatives are compensated through the equations of the linearized vorticity and entropy when deriving higher-order energy estimates. The proof of the resolution for this nonlinear problem follows from certain a priori tame estimates on the effective linear problem in the usual Sobolev spaces and a suitable Nash–Moser iteration scheme. 相似文献
4.
从扬声器系统的等效类比线路出发,得出了阻抗特性Z(jω)的表达形式及其曲线。采用全面最小二乘法识别扬声器系统的时域函数的全套系数,从而测出扬声器系统的低频特性参数。以计算机仿真技术为基础,通过MATLAB和EWB软件进行系统模拟分析仿真,得到扬声器系统的阶跃响应、阻抗曲线等特性。 相似文献
5.
焊膏工艺性要求及性能检测方法 总被引:9,自引:0,他引:9
焊膏是SMT工艺中不可缺少的钎焊材料,广泛应用于再流焊中;它是由一定的合金粉末和助焊剂均匀混合而成的膏状体。主要对SMT中焊膏的组成及焊膏性能检测方法进行了简要分析。 相似文献
6.
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。 相似文献
7.
射频板条CO_2激光器并联谐振技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用周期性网络模型计算了射频板条CO2激光器电极的纵向电压分布.探讨了并联谐振技术在板条器件中获得成功运用的原因.提出了利用并联谐振技术进一步提高电压分布均匀性的两个途径. 相似文献
8.
9.
10.
Zuo LIU Zhen De WU 《数学学报(英文版)》2005,21(5):997-1000
Let κ be non-negative integer. The unoriented bordism classes, which can be represented as [RP(ξ^κ)] where ξ^κ is a k-plane bundle, form an ideal of the unoriented bordism ring MO.. A group of generators of this ideal expressed by a base of MO. and a necessary and sufficient condition for a bordism class to belong to this ideal are given. 相似文献