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1.
We investigated the resistive switching characteristics of a polystyrene:ZnO–graphene quantum dots system and its potential application in a one diode-one resistor architecture of an organic memory cell. The log–log I–V plot and the temperature-variable I–V measurements revealed that the switching mechanism in a low-current state is closely related to thermally activated transport. The turn-on process was induced by a space-charge-limited current mechanism resulted from the ZnO–graphene quantum dots acting as charge trap sites, and charge transfer through filamentary path. The memory device with a diode presented a ∼103 ION/IOFF ratio, stable endurance cycles (102 cycles) and retention times (104 s), and uniform cell-to-cell switching. The one diode-one resistor architecture can effectively reduce cross-talk issue and realize a cross bar array as large as ∼3 kbit in the readout margin estimation. Furthermore, a specific word was encoded using the standard ASCII character code. 相似文献
2.
关于基站防雷接地的问题 总被引:1,自引:0,他引:1
着重讨论避雷针接受雷电流时的泻流方法和女儿墙上的避雷带的作用,以及如果用避雷带作为接地点,可能会带来的隐患。 相似文献
3.
简单介绍朗讯系统cdma 1x基站分组管(PP)宽度的配置,并对朗讯cdma 1x基站分组管宽度不合理的配置及信道板扩容后的PP宽度配置进行了案例分析。 相似文献
4.
5.
生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu2+作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu2+的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu2+的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。 相似文献
6.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
7.
王振宇 《电气电子教学学报》2002,24(6):43-45
多级并接型权电阻解码网络结构简单,分析方便,文章给出了普通的和BCD码多级并接型权电阻解码网络,推导出了各级与运放的连接电阻的通用公式,并用EWB软件进行了电路模拟,这种方法对自行设计权电阻DAC有一定的参考价值。 相似文献
8.
常规双极晶体管在77K下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Gummel数,基区方块电阻,渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系,然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。 相似文献
9.
对基站天线的基本原理、天线选型、天线参数设置、天线安装等方面进行了描述,对天线下倾角、分集距离等进行了重点讨论。 相似文献
10.
讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度,着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系,指出控制基区宽度,可有效地提高器件的浪涌能力,降低静电电容和开通电压 相似文献