硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。     

GSM900/DCS1800双频段基站测试系统的硬件设计

为了进行基站的灵敏度测试,对移动通信系统运营进行维护,该项目实现了GSM900和DCS1800双频段便携式基站测试系统的设计。基站测试系统硬件由信号处理与控制单元、GSM板卡和笔记本电脑组成。利用此系统可以实现GSM基站接收机静态灵敏度准确度≤±3 dB、测试距离≤1 000 m(视距,LOS)、测试时间≤10 s等,同时该系统支持2个以上GSM模块或者具有自环回的单个GSM模块的灵敏度测试。     

(Ba1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷的制备及其介电性能研究

本文研究了（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分，烧结工艺，工作频率等因素对材料的显微结构，介电损耗Ｄ，温度系数α等性能的影响。研究表明，ＳｎＯ２掺杂较ＺｒＯ２掺杂的ＢＳＴ系材料的移动叠加效应要好；适当提高烧结温度；延长高温保温时间，有利于晶粒长大，进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应，两者均可 有效提高材料的温度系数α，而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外，随