半导体浪涌保护器基区参数探讨

讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件的浪涌能力，降低静电电容和开通电压     

TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵     

谐振隧道二极管

由于外延技术的快速发展与进步,作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起的学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大,速度提高,且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象,并对有关设计问题进行了讨论。     

ATmega2560外部SRAM扩展键盘的应用设计

文中从应用的角度出发,设计了一个基于ATmega2560微控制器外部SRAM扩展键盘的应用系统。从硬件的原理框图到软件都给出了详细的设计。     

大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性

报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76MHz的fs激光脉冲串触发同一器件时,电流脉冲上升时间小于200ps.     

电气集中控制台语音提示的实现

介绍了利用固体语音器件ISD2560与单片机实现电气集中控制台语音提示的方法，阐述了组成原理，软硬件设计等具体问题。     

适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型

提出了一个模拟ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ器件特性的物理模型。在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ｇｅ组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响；在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ器件的电流和电荷公式。同时开发了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的ＳＰＩＣＥ程序模拟了实际ＳｉＧｅ基区     

基于状态机的语音电子密码锁设计

为了进一步减少现有电子密码锁系统的规模,提高其性能的灵活性,设计了一种新型的语音电子密码锁.它具有智能语音提示、开锁、超次锁定、自动报警、管理员解锁、修改用户密码等功能,用FPGA(现场可编程门阵列)芯片和语音芯片ISD2560实现,体积小、电路简单.实际实验及仿真结果表明该设计功耗低、安全可靠,维护和升级方便,具有广阔的应用前景.     

语音芯片ISD2560在自动准同期并网装置中的应用

通过对现行的自动准同期并网装置的分析 ,导出了现有自动准同期并网装置所存在的缺陷与不足 ,提出了通过增加语音芯片改善其性能的方法 ,从而解决了语音芯片使用中的一个必须解决的问题     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%