掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

欧博 HIFI组合音响系统

马兰士的这款SA7001是2声道超级音频播放器，可播放SACD、DVD、CD—R、CD—RW碟片。它采用了专为音频播放设计的机械模块，主电路板上采用HDAM的电流反馈型音频电路，采用Cirrus Logic公司生产的高性能D／A转换器CS4397，数字、模拟、显示均采用了专用线圈电源变压器，具有RC5系统连接功能。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

辐射型漏泄同轴电缆的设计

总结了漏泄同轴电缆的理论研究现状。围绕使用频带和耦合损耗这两个重要电气参数，讨论辐射型漏泄同轴电缆的设计方法。基于周期性槽孔结构的空间谐波的分析，讨论了抑制高次谐波以拓展使用频带的方法。利用时域有限差分方法和Matlab软件计算耦合损耗。     

一种单相串联混合电力有源滤波器的研究

文中对串联混合电力滤波器抑制谐波的原理进行了分析。为了检测单项系统的谐波电流,提出一种基于虚拟三相法和瞬时无功理论的谐波检测方法,并且对串联滤波逆变器的直流侧电压的控制进行了讨论。仿真结果证明了其有效性。