多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

ASIC原型构建：是做还是买？

随着数字集成电路(IC)的设计变得更加复杂,验证其功能的工作也越来越复杂了。在能被设计的门电路数量和能在合理时间内被验证的门电路数量之间一直存在差距,而这些年来,EDA厂商们在缩小这种差距方面几乎无所作为。     

上海集成电路设计产业发展对策的再思考

本文分析了上海集成电路设计业的发展现状以及目前存在的问题，同时对上海集成电路设计业进行了SWOT分析；在此基础上，对发展设计业的思路和对策进行了探讨。     

快速发展中的我国集成电路产业

集成电路是现代信息产业和信息社会的基础,是改造和提升传统产业的核心技术。随着全电路等,正在成为人们研究的热点,21世纪将有可能成为新的技术发展领域。基于集成电路的重要地位,发达国家和许多发展中国家(地区)都十分重视集成电路产业的发展,纷纷制定面向21世纪的集成电路中长期发展规划,抢占制高点,以掌握未来信息技术核心的主动权。我国集成电路产业诞生于60年代,经过30多年的发展,目前,已形成一定的发展规模,由10家芯片生产骨干企业,10多个重点封装厂,300多家设计单位,若干个关键材料及专用设备仪器制造厂组成的产业群体初步形成,电路…     

8VSB芯片的层次式设计方法

提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法，并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明，该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显，大大缩短了芯片设计周期。     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。