全文获取类型
收费全文 | 468篇 |
免费 | 169篇 |
国内免费 | 126篇 |
专业分类
化学 | 30篇 |
晶体学 | 9篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 20篇 |
物理学 | 235篇 |
无线电 | 466篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 22篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 7篇 |
2015年 | 18篇 |
2014年 | 25篇 |
2013年 | 26篇 |
2012年 | 29篇 |
2011年 | 47篇 |
2010年 | 38篇 |
2009年 | 52篇 |
2008年 | 41篇 |
2007年 | 45篇 |
2006年 | 64篇 |
2005年 | 47篇 |
2004年 | 39篇 |
2003年 | 29篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 36篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 11篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 11篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有763条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
3.
4.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
5.
6.
用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0~10%HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120~300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)~1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6%HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。 相似文献
7.
单片机测控系统的硬件及软件抗干扰技术 总被引:1,自引:0,他引:1
针对单片机测控系统实时性强、干扰因素较多的特点,介绍了几种实用的抗干扰措施。在硬件抗干扰方面阐述了供电系统的设计、电路板的合理布局以及输入输出干扰的抑制。软件方面给出了软件冗余技术、软件陷阱技术以及“看门狗”技术的几个实例。实践证明,二者互相结合、互相补充,在实际应用中可起到良好的抗干扰作用。 相似文献
8.
发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理 总被引:7,自引:0,他引:7
提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素)系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际,是形成余辉的根本原因,RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布,Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。 相似文献
9.
采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测定了In0.53Ga0.47As/InP异质结光电二极管的DLTS谱。发现存在一电子陷阱,该陷阱能级位于导带底以下0.44eV处,能级密度为3.10×1013cm-3,电子俘获截面为1.72×10-12cm-2。由于深能级的存在,导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。 相似文献
10.
用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱 总被引:3,自引:1,他引:2
陈蒲生 《固体电子学研究与进展》1992,12(4):336-341
采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的密度悬殊很大的电子陷阱。指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱,并给出这两种陷阱在禁带中能级位置及密度大小关系;同时还给出禁带中央界面陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱“N”形变化关系,并对实验结果进行了讨论。 相似文献