电力半导体模块新趋势

一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件，目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。     

龙口广播电视台机房大屏幕监播控制系统

本文从龙口市广播电视台的实际情况出发，详细论述了机房大屏幕监播控制系统的用户需要分析，从系统的设计、功能、实施等多方面阐述了该系统的应用情况。     

元器件与组件

保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…     

开关电源及其应用概述

开关电源按变流电路方式可分为脉冲宽度、调制变流器和谐振型变流器,它们广泛应用在产业和民用电子机器中,美国预计1992年将销售32亿美元,日本目前开关电源市场规模己达2000亿日元。     

集成门极换流晶闸管IGCT

IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中。文中结合IGBT的结构特点，阐述了其优于IGCT、GTO器件的技术特性，给出了由IGCT器件构成的中压变频器的应用电路和技术特点。     

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。     

静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...     

专用电路KJ005及其应用

ＫＪ００５是一种晶闸管移相触发专用器件。该器件可靠性较高、价格低，广泛应用于一般变流装置控制中。文章较详细地介绍该器件的结构原理、电参数及应用方法，给出了应用实例。     

硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管

本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。