基于ANSYS的非晶合金变压器铁心磁场的噪声研究

为了研究非晶合金变压器由于磁场分布而引起的噪声,应用ANSYS对非晶合金变压器铁心磁场进行三维有限元仿真。通过对不倒角和倒角两种模型进行对比分析,得到三维磁场分布的相关信息,并深入阐述了两种模型的差异。结果表明,倒角后模型的磁密分布得到了改善,有助于降低变压器的噪声,广泛运用于非晶合金变压器的生产中,磁场仿真结果与实际相符。仿真分析表明,有限元分析法有助于分析变压器铁心磁场噪声分布问题,从而给设计人员提供了更精确的设计依据。     

Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程的微结构研究

非晶合金（俗称金属玻璃）是一种重要的功能材料，具有一般晶态材料所不具备的许多物理、化学和力学特性。新型铈基金属玻璃的玻璃化温度（68℃）大大低于常规金属材料，是集聚合物塑料与金属特点于一身的新型功能材料，称为金属塑料。本文主要利用透射电子显微镜对Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程中的微结构变化进行了系统研究。     

热处理对Ti-Mo-V-Nb-Al合金微观结构的影响

形状记忆合金由于其优良的超弹性和形状记忆效应而在医学上有着广泛的应用，其中由于NiTi形状记忆合金相较其它形状记忆合金具有更好的超弹性和生物相容性而得到了广泛的应用。但由于镍元素的毒性，使得开发一种生物相容性更好、无镍且具有良好力学性能的形状记忆合金成为必需。Ti-Mo-V-Nb-Al五元合金就是为此而开发的一种新型形状记忆合金。本研究用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HREM）研究了不同热处理条件对Ti-Mo-V-Nb-Al形状记忆合金微观结构的影响。     

色艺双全的Wharfedale RS10卫量多声道系统

Wharfedale RS10时尚影院系统是具有70多年历史的英国Wharfedale乐富豪的最新力作。这套多声道的铝合金音箱，是乐富豪多年设计经验、技术与时尚相结合的产物，不但采用了目前最前卫的铝合金材质及圆弧型外观，     

在无铅环境中的热风整平

当电子工业走向无铅焊接的时候,热风焊料整平仍然是继续可焊性保护的优选方法。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

挤压成形半固态ZA27合金组织的SEM分析

为了有效地解决铸造锌铝合金ZA27的宏观偏析问题，采用半固态成形的手段对ZA27合金进行挤压处理，可以得到不产生Zn宏观偏析的ZA27合金组织。本文运用扫描电子显微镜(SEM)分析、研究了挤压成形半固态ZA27合金的组织形貌。     

提高焊膏印刷质量的工艺改进

焊膏印刷作为SMT工艺的第一步，其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析，讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择；对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析，指出了产生问题的原因，提出了改进措施。     

镍铬合金在酸性CuCl2溶液中反应机理

对铜在酸性CuCl_2溶液中蚀刻反应机理论述,利用氧化-还原电动势原理,详细论述了Ni80Cr20合金在酸性CuCl_2溶液中化学蚀刻反应机理,以及影响蚀刻速度的因素,并对溶液中金属离子的存在形式作了验证。