激光能量对反钙钛矿GaCMn_3薄膜结构与物性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

氮分压对CrNx薄膜相结构与力学性能的影响

ＣｒＮｘ 薄膜具有很高的硬度和耐磨性 ,其高温抗氧化性和耐腐蚀性优良 ,不但可作为耐磨涂层用于工模具和切削工具的表面强化 ,而且在表面防腐和装饰等许多工业领域也有重要用途[1] 。同已经得到广泛工业应用的ＴｉＮ薄膜相比 ,ＣｒＮｘ 薄膜的硬度更高 ,而且具有比ＴｉＮ更好的耐腐蚀性能[2 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜溅射产额比较高 ,有利于大批量的工业生产 ,更具有实用价值[3 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜采用ＳＰＣ 35 0多功能磁控溅射仪制备。在射频阴极 (ｒ .ｆ.)上安装纯Ｃｒ靶 (99 99% )作为溅射材料 ,高速钢基片经 1μｍ金刚石研磨膏抛光后 ,用丙酮…     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

薄膜电感与薄膜变压器的开发及其应用

近年来，以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素，重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数，并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。     

石英摆片导带“断裂”故障分析

叙述了真空蒸发金属膜的形成过程和膜层结构，运用金属原子迁移理论分析了挠性力平衡力速度传感器石英摆片导带“断裂”故障，提出了增强可靠性的技术途径。     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：