复合玻璃粉在ZnO压敏电阻用银浆料中的作用

ZnO压敏电阻器对所用银浆附着力要求较高,通过对ZnO压敏电阻器用银浆料中玻璃粉的研究,提出了用复合玻璃粉制备ZnO压敏电阻器用银浆料。浆料经不同温度烧成后,测得了烧成膜与基体附着力的数据,复合玻璃粉S2:S5的最佳质量比为1:2.5,复合玻璃粉添加量(质量分数)为3.5%时,可显著提高浆料对基体的附着力。结果表明:可采用适合于480~580℃烧成温度的复合玻璃粉来提高烧成膜的致密性及对基体的附着力。并对其机理进行了探讨。     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

采用片状银粉配制厚膜导体银浆料的研究

厚膜导体银浆料是电子元件和微电子产品的良导体材料。普通导体银浆料由于银含量不够高，致使导体电导率较低，增大导体的损耗；而当银含量增加时，普通导体银浆料的粘度太大，致使浆料的使用工艺不方便。本文介绍了对普通导体银浆料这两个性能的改进，取得了较为满意的效果。     

瑞萨评测EV和HEV用功率半导体芯片键合材料的烧结银浆

正瑞萨电子在"2012最尖端封装技术研讨会"的"EV和HEV时代功率电子最新技术动向"分会(6月14日举行)上,谈到了该公司的产品并以封装为中心,就车载半导体封装作了阐述。该研讨会由日本电子封装学会主办,在东京有明国际会展中心与JPCAShow2012(2012年6月13日～15日)一同举行。演讲者是瑞萨的平松真一(生产本部封装及测试技术统括部通用封装设计部主管工程师),演讲题目为"功率电子用半导体封装的动向"。据平松真一介     

键盘式薄膜开关的制造工艺研究

讨论了制造薄膜开关的材料性能与网印工艺条件,通过金相显微镜观察并分析了印刷层的厚度与均匀性关系,研究了薄膜开关导电银浆线路的电阻性能。选择恰当的印刷工艺参数,如括板压力0.3～0.4MPa、移动速度0.2～0.3m/s等,制造出厚度均匀、与电阻匹配的薄膜开关,其导电银浆各处线路的参数均匀,方阻为28.01mμ/□,厚度为4.33μm,锯齿边缘的平均深度约为23.53μm,且外观无明显色差,实现了薄膜开关的低成本与高可靠快速制造。     

SMT用网印贯孔印制板的设计

通过导电印料的丝网漏印达到双面印制线路板连接技术，巳被愈来愈多的印制板工业界人士所拉受。这种银、铜或碳贯孔的网印技术，巳在更多的电子领域被采纳和吸收。特别是适合SMT的网印贯孔印制板巳成为更多双面孔化印制板设计生产的典范。其设计更为合理，制作工艺更趋势成熟。简单和快捷的生产方式，有效的互连孔连接技术，绿色环保型加工方法，给了PCB产业带来了福音，更为SMT的发展带来了主机。     

高散热PCB产品的工艺前景

当今在电子产品的世界里,人们除了追求PCB产品的精密小型、密集布线以外,也越来越关注PCB产品对于散热效果的帮助。对于散热产品而言,市面上也有多种种类,可是对于PCB的制造而言,在成本的压力下,制造流程简便、可以实现规模化生产的银浆塞孔等技术正在逐步的在行业内推广。本文介绍了几类散热效果好的产品及其制作方法,以及这些方法的推广技术,谨供大家参考。     

激光诱导沉积高粘度银浆制备微结构的研究

激光诱导向前转移是近些年来兴起的一种微加工技术,可以用来转移金属材料、生物材料和各向异性材料等。进行了利用纳秒激光诱导沉积高粘度导电银浆的实验研究,并对接收层上沉积的银浆进行观察分析,探讨了激光脉冲能量和与接收层的距离对沉积效果的影响,分析了沉积过程,沉积出连续银浆导线,并分析其导电特性。实验发现,当激光脉冲能量为87 μJ,与接收层的距离为40 μm时,沉积点均匀稳定,直径为一百多微米。通过调节三维平台带动靶材移动,用交叉打点的方法进行沉积,可制备出连续银浆导线,导线的宽度约100 μm,电阻率达6.12×10-8 Ωm,与靶材的电阻率相差不大,可以用于微电路和微传感器等的制备。一维线状连续微结构的成功制备,为以后沉积二维微结构,甚至三维结构奠定了基础。     

晶硅太阳能电池背面银浆所用片状银粉的研究

为了确保晶硅太阳能电池在拥有较高光电转换效率的同时降低投入成本,本文研究了45wt;的低固相含量状态下不同粒径及振实密度的片状银粉对背面银浆性能的影响.将球形银粉经过不同时间的球磨得到不同粒径的片状银粉.用这四种银粉制成背面银浆并经过印刷烧结形成背电极,研究了粒径、振实密度对背电极烧结膜形态及电性能的影响.结果证明平均粒径为2.5 μm的片状银粉具有最高的振实密度,由其制备背电极的烧结膜最为致密,焊接强度达到8.5 N,硅太阳能电池的光电转换效率达到18.09;,可以满足目前背面银浆的商业使用需要.     

晶圆级封装用半烧结型银浆粘接工艺

选取了一种半烧结型银浆进行粘接工艺研究,通过剪切强度测试和空洞率检测确定了合适的点胶工艺参数,并进行了红外热阻测试和可靠性测试。结果表明,该半烧结型银浆的工艺操作性好,烧结后胶层空洞率低;当胶层厚度控制在30μm左右时,剪切强度达到25.73 MPa;采用半烧结型银浆+TSV转接板的方式烧结功放芯片,其导热性能满足芯片的散热要求;经过可靠性测试后,烧结芯片的剪切强度没有下降,具有较高的稳定性和可靠性,可用于晶圆级封装中功率芯片的粘接。