光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

Indium Corporation Introduces New Pb-Free VOC-Free Wave Solder Flux

The Indium Corporation of America has introduced WF-7742 Wave Solder Flux specifically designed to meet the process demands of Pb-Free manufacturing. WF-7742 is a VOC-Free material formulated for Pb-Free wave soldering of surface-mount, mixed-technology and through-holeelectronics assemblies.     

织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了2种形式的铟凸点：即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度，测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa，铟柱的剪切强度为1.9MPa，前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现：铟柱剪切强度低是织构弱化所致；铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想（101）丝织构模式，从而提高了铟球的剪切强度。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

吡啶二甲酸镓、铟配合物的合成及生物活性

吡啶二甲酸能与过渡、非过渡、镧系和锕系金属离子螯合形成稳定的配合物，而且配位方式不拘一格，既可以是双齿，三齿，也可以是桥式配位。吡啶二甲酸的另一重要意义在于它们的生物活性。由于镓具有抗癌，抗肿瘤的活性，吡啶二甲酸镓配合物可能会是一种非常有潜力的新型药物。基于上述事实，本文合成了六种新型的吡啶二甲酸（2，3-，2，5-，2，6-）镓（Ⅲ）、铟（Ⅲ）配合物，并进一步测试了三种镓配合物的生物活性。     

有机镓、铟芳酰腙配合物的制备与结构表征

通过芳酰腙与三甲基镓或三甲基铟的反应,制备得到了七个有机镓或铟的镓芳酰腙配合物,在配合物中金属直接与芳酰腙的氧和烯胺氮成键,形成五元环状分子内配合物。对得到的化合物通过元素分析、红外光谱、质子核磁共振和质谱进行了结构表征。