应用于红外焦平面铟柱互连的封装技术

焦平面技术在红外侦察系统和红外成像导弹系统等军事领域都已经进入实际应用阶段,同时还将扩展到诸如工业监控测温、医疗卫生、海上救援、车辆和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。红外焦平面阵列是红外成像的核心部件,对于红外焦平面铟柱的连结方式目前主要是通过倒装焊的封装方式,通过涂敷助焊剂并通过红外回流将其重要组成部分的探测器和读出电路互连起来。文章主要介绍了应用于红外焦平面铟柱互连的倒装焊封装技术及其可靠性的影响。     

具有雪崩倍增膜的摄像器件

介绍一种高敏度固体摄像器件，它由雪崩倍增膜和ＭＯＳ读出电路用微型烟柱连接起来制成，微型烟柱直径和高度为５μｍ，摄像器尺寸为２／３英寸，有良好的分辨率，没有余像。     

氧化层对于倒装焊接质量的影响和分析

利用氧化铟易于溶于酸性溶液的性质,提出了在倒装焊接之前使用酸性溶液对铟柱进行酸洗.在未进行酸洗和进行酸洗的条件下,对比了样品在焊接之后的拉力以及在经过热循环后的盲元率,结果显示酸洗能够降低表面氧化层的影响,有效地改善倒装焊接的质量.     

一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融的处理装置

红外焦平面器件电极铟柱是器件芯片与读出电路互联的介质,器件的每个像元电极区都必需制备铟柱。由于器件集成度高,像元电极区的铟柱必须做得极小,并与电极接触良好。用目前工艺制备出的铟柱存在     

碲镉汞集成偏振探测器应力分析

红外碲镉汞集成偏振探测器的结构是采用多个芯片叠层的方式,由于各层的材料不同,热膨胀系数不同,在低温下工作时各层界面之间存在应力,应力控制的不好会造成芯片裂片等情况,导致探测器性能劣化或无法使用。本文对长波320×256碲镉汞集成偏振探测器的裂片现象进行了分析,对存在的应力运用软件进行了仿真,得到了碲镉汞芯片上的应力值及减小应力的方向。针对仿真分析的结果进行了相应的铟柱降低、碲锌镉衬底减薄的试验,解决了碲镉汞集成偏振探测器的裂片现象。     

铟柱高度快速测量方法研究

在红外探测器铟柱蒸发的工艺试验中,有需要测量大量铟柱高度的情况,因此对铟柱高度测量方法进行了研究.手动逐点测量铟柱高度方式的结果较为准确,但是测量速度比较慢,消耗时间比较多.快速自动测量的方法使用了显微镜的扫描功能,并利用图像识别技术来自动识别铟柱,能够一次获取所有铟柱的高度,所以测量速度很快.详细介绍了这两种方法的操...     

红外探测器倒装互连工艺中的铟柱高度研究北大核心CSCD

针对制冷型红外焦平面探测器倒装互连工艺中的铟柱高度展开了调研,结果显示目前行业内关于该工艺中的铟柱高度设计的离散性较大,铟柱高度范围为5~24μm,差值达到了19μm。本文构建了包含探测器芯片、铟柱、填充胶、钝化层和UBM的像元级有限元仿真模型,并根据不同的铟柱直径和高度开展了60组仿真计算,根据计算结果绘制了p-n结区最大应力值的变化曲线,并分析了应力变化规律。     

混合式红外焦平面阵列互连铟凸点几何尺寸的优化设计

混合式焦平面器件的电气和机械互连是焦平面器件研制中的关键工艺技术,直接关系到焦平面性能和成品率。铟凸点技术是解决热膨胀失配的一种有效的技术途径,通过合理的铟柱设计和严格控制的制造工艺,可实现探测器芯片和读出电路可靠的互连。现讨论了铟柱高度和高宽比的计算方法,分析了热膨胀变形在铟柱端面产生了最大作用力与切应变、高宽比和切变位移的关系,指出器件制造工艺误差的影响,认为矩形截面的铟柱比圆形截面的铟柱更合     

10 μm间距红外探测器铟柱制备研究

小间距红外探测器目前已成为红外探测器技术发展的一个重要方向.用于连接探测器芯片与读出电路芯片的铟柱的制备工艺水平成为影响器件性能的一个重要因素.介绍了一种10μm间距红外探测器铟柱的制备工艺.新工艺采用多次铟柱生长结合离子刻蚀的手段,最终剥离和制备出高度为8 μm、非均匀性小于5％的10μm间距红外探测器读出电路铟柱,...     

大面阵碲镉汞芯片的耦合热应力模型与结构优化

针对大面阵碲镉汞芯片热应力仿真分析过程中计算量与准确性不能兼容的问题,通过在芯片互联区的不同位置引入小规模铟柱阵列建立了耦合热应力的优化仿真模型。借助此模型进行热应力分析,发现在铟柱的上下表面附近区域产生了较大的热应力,同时边缘及角落处的阵列单元内部所产生的热应力更大(最高达225.69 MPa)。进一步对芯片的结构进行了优化,获得了最优读出电路及碲锌镉衬底厚度。此外,仿真结果表明,单面铟是热应力较低的铟柱结构,减小铟柱的半径可以进一步减小其内部的热应力。所提出的热应力仿真优化模型为大面阵碲镉汞芯片内部的热应力分析提供了更准确有效的分析方法以及器件设计方面的理论指导。