RuO4对尼龙6的染色机理研究

四氧化钌作为用透射电镜观察高分子材料时对聚合物多相体系进行选择性染色的染色剂之一，克服了四氧化锇染色的局限性，能对多种聚合物进行染色。四氧化钉对大多数聚合物都能染色，但人们至今对其染色的反应机理还不十分清楚，而关于此方面的报道也较少。前人曾就四氧化钉对聚苯乙烯（PS）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）、聚碳酸酯（PC）的染色机理进行过研究，本文探讨了四氧化钌对尼龙6的染色机理。     

四节标准NiMH电池充电器

Dallas Semiconductor推出DS2714标准NiMH电池充电器。可以检测并防止对碱性原电池、锂原电池和已损坏的NiMH或NiCd电池充电。DS2714设计为使用稳压的充电电源，可以为1至4节NiMH或NiCd电池充电，包括大多数消费电子中常用的AA或AAA尺寸。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

催化动力学光度法测定水中痕量铁

本文研究了ｐｈ５．０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，痕量铁催化过氧化氢氧化紫脲酸的褪色反应，建立了催化动力学光度法测定痕量铁的新方法，方法的线性范围０－０．４０，０．４０－２．０μｇ／２５ｍＬ，检出限为８×１０＾－１１ｇ／ｍＬ，用于水样中痕量铁的测定，结果满意。