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1.
磨机的冲击粉碎能力分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
将介质型磨机中复杂的粉磨过程进行了合理简化,给出了简化条件,并首次提出了“冲击粉碎能力系数”的概念,导出了其表达式,用以表征磨机的生产能力,为磨机优化设计提供了判据,也为提高粉磨效率提示了新思路。  相似文献   
2.
黄超  刘丙战 《光学技术》2003,29(4):496-497
液晶显示器用导电粉的形状、尺寸及偏差对于液晶显示屏的质量控制来说是非常重要的。论述了液晶显示器(LCD)用导电粉的作用和性能要求。给出了液晶显示器用导电粉的扫描电镜图像。该图像对观测导电粉的粒径分布、导电粉在导电点中的浓度和分析导电点缺陷、提高液晶显示器的产品质量具有一定的意义。  相似文献   
3.
4.
本文研究了用一种新型的离子交换树脂从两种工业度液中回收钼的方法。实验证明:树脂从这两种废液中能很好地吸附钼,吸附速度较快,钼饱和容量较高,达700mg/g干树脂以上。同时,用5.6%氨水进行解吸,钼的解吸性能较好,合格解吸液中钼浓度较高,达90~100g/L以上,该解吸液可直接用于酸化沉淀仲钼酸铵晶体。  相似文献   
5.
本文对二种新合成的2,3-二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ)和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究,发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移,而在配合物Ⅱ中2,3-二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化,说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。  相似文献   
6.
Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO...  相似文献   
7.
(NH_4)_2MoS_4在活性炭上浸渍过程的研究Ⅱ.干燥机理及模型秦慧芳,张成芳,陆岗,俞丰,朱子彬(华东理工大学无机化工研究所,上海200237)237)关键词硫代钼酸铵,活性炭,干燥,钼分布,干燥模型负载型催化剂的活性组分在载体上的分布,受浸渍...  相似文献   
8.
Synthesis and Structure of Propionate—bridged Mixed—metal Cluster Comp   总被引:3,自引:2,他引:1  
刘晃  徐立 《结构化学》1994,13(1):52-55
  相似文献   
9.
提出了矿渣粉加固粉土的相关理论。将矿渣粉在加固土中的作用归结为火山灰胶凝效应和微集料填充效应,而火山灰胶凝效应又可进一步归结为水化作用、激发作用和离子交换作用;认为微集料填充效应与矿渣粉细度极为相关;用框图归纳了矿渣粉加固土的两种作用效应。进行了矿渣粉、石灰粉加固土无侧限饱水抗压强度、水稳定性、冻稳定性、温度收缩和干燥收缩等路用性能试验,并进行比较。结果表明,矿渣粉加固土所测路用性能指标优于石灰粉加固土。为工程应用提供了试验依据。  相似文献   
10.
本文对所合成的具有 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼的 3种新颖的有机 磷钼酸盐簇合物(NH3CH2 CH2 NH3) 2 5[(PO4 ) (HPO4 )Mo5O1 5]·7 5H2 O (Ⅰ ) ,(H3NCH2 CH2 NH3) 3·[(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·3H2 O (Ⅱ )和(H3NCH2 CH2 NH3) 2 ·[Cu(en) ][(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·5H2 O (Ⅲ )用FTIR ,NIR Raman ,紫外 可见漫反射光谱 (UV VisDRS)和荧光光谱等研究手段 ,对其进行光谱研究 ,探讨其结构和性能的关系。在这些化合物中 ,化合物Ⅰ和Ⅱ具有孤立的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元 ,而化合物Ⅲ的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元是由 [Cuen]基团桥联成链 ;磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;UV VisDRS显示 ,在 2 0 0和 2 6 0nm左右有两个杂多化合物的特征吸收谱带 ;化合物的稳态荧光光谱中 ,观察到以 2 4 0nm激发 ,在大约 4 0 0nm附近出现的由金属氧簇Oμ→Mo跃迁激发所引起的较强的发射峰 ,在化合物 (Ⅲ )中 ,还观察到通过 [Cuen]的荷移跃迁的以 5 70nm激发所产生的 6 0 4nm的发射峰。  相似文献   
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