正确使用DV磁带

DV摄像带种类不多,现在家用DV主要使用微型DV带,也就是常说的MiniDV带,它的尺寸只有66 mm×48 mm×12.2 mm,一般DV盒带上有4个金属电极,有些DV带还装入4 kB的半导体存储器,它们的功能是用来判别盒带的种类型号、磁带厚度、出厂情况以及用来存储或引导索引数据,可以记录拍摄时的重要数据,MiniDV带的制造工艺是在带基上进行金属蒸镀,具有较高耐磨强度和较强磁性能.     

印刷法制作OLED

凸版印刷公司开发了印刷法制作OLED新技术，解决了现有真空蒸镀技术很难制作51cm（20in）以上OLED屏的难题。该技术开发样品尺寸为14cm（5．5in），分辨率为80ppi，像素间隙为300μm。计划2007年开始正式投入生产。     

化学复合镀层激光处理研究

研究了激光处理对Ni-P -SiC化学复合镀层的影响。借助于扫描电镜、能谱仪、X射线衍射、显微硬度计等设备对激光处理后复合镀层的表面形貌、组织结构及性能进行了综合分析。结果表明 ,对复合镀层进行激光处理可以获得与炉内加热同样的镀层硬度 ,且当激光功率 4 0 0W ,扫描速度 1.5m /min时 ,镀层硬度高于炉内加热的硬度     

宽带膜厚实时监控过程中膜层折射率的确定方法

为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率，介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法：一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率；另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明：在线反算适合单点监控，所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此，采用最小二乘法拟合，即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息，所得结果误差很小，一般都在2％～5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。     

薄膜蒸镀光学控制中的一种现象的数学分析

证明了在连续蒸镀两层高，低折射率介质膜过程中，当第一层厚度不足λ／４厚时，刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同，并由此展开，说明两层厚度不足λ／４的薄膜在很大程度上等价于一层λ／４的薄膜。     

电子电镀中的选择镀技术

本文简要介绍了电子电镀中各种高速选择镀装置的基本原理和构造,以及各种因素对高速选择镀的影响。评述了高速镀液的选择、要求和操作条件。重点介绍了半导体封装、IC框架、接插件和触点等的镀金和镀银溶液。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

无铅焊接之表面处理

欧洲有一家德商Omeoon Chemie（已将另一德商Cimatek并购与美商Florida Ciretch目前互相执股，台湾代理商为昶缘兴公司）最近宣称（On Board杂志2003年2月号）在浸镀锡之前处理中，可采用一种有机金属（Organic Metals）的络合处理法，先将一般微蚀后不均匀的课铜表面，改变成为有机性Cu的均匀表面。如此再去进行     

脉冲电镀的正向电流密度对深镀能力的影响

主要通过在正反向电流比、频率、脉冲宽度一定的条件下,改变正向电流密度的大小来研究其对PCB整板电镀铜深镀能力的影响。从测得的数据可知随着正向电流密度的增大,深镀能力先变大后变小,并对这个问题进行了理论分析。     

新型的不锈钢镀Pt（Ir）电极

应用欠电位沉积与锚定效应，研制了一种新型的不锈钢镀Ｐｔ（Ｉｒ）电极，此电极具有优越的电化学特性，可望用于微传感器。