新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

FORMATION OF SINGULARITIES FOR A KIND OF QUASILINEAR NON－STRICTLY HYPERBOLIC SYSTEM

The author gets a blow-up result of C1 solution to the Cauchy problem for a first order quasilinear non-strictly hyperbolic system in one space dimension.     

关于一类非散度型非线性退化抛物方程的一些结果

In this paper, we are concerned with the initial and boundary value problem for the following equations not in divergence form:     

一类非线性退化方程混合问题解的渐进性态

本文利用比较原理以及一种特殊变换研究了一类非线性退化方程的混合问题，得到了这类复杂问题解的渐进性质。     

一般区域上在边界退化的拟线性抛物方程的第—初边值问题

对有界域上拟线性抛物方程第一初边值问题，二阶退化拟线性抛物方程初边值问题已有丰富的成果，可见［１］，［２］，［３］，但对任意域上方程的工作则不多见．在此文中，我们讨论任意区域上在边界退化的拟线性抛物方程初边值问题的存在性．     

一类退化半导体方程弱解存在性的研究

文章研究了当■(s)=sm(m>1),b(s)=s2和初值为u0,v0∈L 2(Ω)时一类退化半导体方程弱解的存在性．文章首先将原问题正则化,然后对正则化问题在L 2(Ω)空间上做出了有界估计,最后利用收敛性得到了问题的结论．     

线性规划问题的一种新的摄动法

在用单纯形方法解线性规划的问题时，不可避免会出现退化情况，而某些退化情况会导致循环。目前采用的避免循环的方法一共有两类：传统的摄动法（字典序）和Bland方法。本分析了传统摄动法的一些不足，给出了一种新的摄动法。     

Cntinuity of Some Classes of Functions Related to Degenerate Parabolic Equations and Its Applications

We study some classes of functions satisfying the assumptions similar to but weaker than those for the classical B2 function classes used in the research of quasi-linear parabolic equations as well as the ones used in the research of degenerate parabolic equations including porous medium equationsl.Comsequently,we prove that a function in such a class is continuous.As an application,we obtain the estimate for the continuous modulus of the solutions of a few degenerate parabolic equations in divergence form,including the anisotropic porous equations.