瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究

本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模型的理论分析和实验结果进行了比较,得出不同模型所应满足的附加条件。     

采用边缘清洗技术控制边缘缺陷提高成品率

约有25%的芯片分布在300mm硅片的周边区域,近来的研究表明硅片周边区域的成品率仅为50%左右。芯片生产商越来越重视硅片边缘缺陷对合格率的影响,并积极的研发清洗方案提高良率。例如，采用边缘清洗技术能够控制边缘缺陷源，进而最大限度地提高成品率。     

曲边区域非齐次Dirichlet问题的类Wilson元逼近

1.引 言 本文考虑用类Wilson元求解曲边区域Ω上的非齐次Dirichlet问题.对于曲边区域上的Dirichlet问题,常见的方法是将剖分加密,使近似求解区域Ωh尽可能地逼近Ω.并得