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1.
自从MgB2(Tc=39K)超导体发现以来,AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近,我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2(0〈x〈0.7)化合物,得到了单相AlB2结构的样品。当0.2≤x〈0.5时,样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明,随着Nb含量的减少,晶格参数在x≈0.2处发生突变,在a-b面内收缩,沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系,我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量;并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系,得到了与实验一致的理论结果。 相似文献
2.
提出了一种基于微悬臂梁传感技术研究大分子折叠/构象转变的新方法.通过分子自组装的方法将热敏性的聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)分子链修饰到微悬臂梁的单侧表面,用光杠杆技术检测温度在20-40 ℃之间变化时由于微悬臂梁上的PNIPAM分子在水中的构象转变所引起的微悬臂梁变形.实验结果显示:在升温过程中,微悬臂梁的表面应力发生了变化并且导致微悬臂梁产生了弯曲变形,这个过程对应着微悬臂梁上的PNIPAM分子从无规线团构象到塌缩小球构象的构象转变.在降温过程中,微悬臂梁发生了反方向的弯曲变形,这对应着PNIPAM分子从塌缩小球构象向无规线团构象的构象转变.整个温度变化过程中构象转变是连续进行的,而在低临界溶解温度(约32 ℃)附近转变幅度较大,这与自由水溶液中PNIPAM分子的无规线团-塌缩小球构象转变相对应.实验结果还显示:由于PNIPAM分子在塌缩过程中氢键的形成和链段间可能的缠结效应,整个温度循环过程中微悬臂梁的变形是不可逆的且有明显的迟滞效应. 相似文献
3.
Khalid KOUFANY 《数学学报(英文版)》2006,22(5):1467-1472
Let Ω be a symmetric cone. In this note, we introduce Hilbert's projective metric on Ω in terms of Jordan algebras and we apply it to prove that, given a linear invertible transformation g such that g(Ω) = Ω and a real number p, |p| 〉 1, there exists a unique element x ∈ Ω satisfying g(x) = x^p. 相似文献
4.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
5.
6.
7.
鉴于工业化概念在国内有着广泛影响,而工业化概念的基础在于传统的部门(sector)或产业(industry)分类,接下来我们就从这样的分类角度出发,探讨信息化对产业政策重点的冲击和影响。本文认为,信息化最重大的意义之一是卡尔多律和鲍莫尔成本病不再是严格的约束,其生产率改进的机会与制造业同样广阔,因而,发展政策不仅应特别关注制造业或第二部门,也应特别关注服务业的生产率改进。 相似文献
8.
利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
9.
本文在液氮温度到室温范围内,对不同宽度和厚度的试样进行了三点弯折试验,研究了试样尺寸对再结晶纯钼片材的延-脆性转变温度的影响。本研究用二个参数、即临界应力和临界温度描述材料的延-脆性转变特性,结果归纳如下:(1)试样厚度为1.0mm时,试样宽度在1 ̄4mm范围内宽度对临界应力和临界温度的影响几乎可忽略不计。(2)试样宽度为4mm时,试样厚度在0.5 ̄1.0mm范围内厚度对临界应力和临界温度的影响几 相似文献
10.
通过解析推导和数值计算的方法,得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明,表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响,从而改变转变的性质,诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件,它除了与液晶的结构和材料有关外,还依赖于液晶表面弹性能K13项,同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法.
关键词:
表面弹性能K13项
弱锚定
Fréedericksz转变 相似文献