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2.
BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了烧结助剂的作用,实验结果表明:如只引入半导化元素,不引入烧结助剂,则室温电阻率ρ25很大,甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入,既改善了PTCR热敏电阻陶瓷的烧结性,又改善了其ρ25、耐电压Vb、PTC效应等特性,从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用AST,现在常用SiO2,其加入量x宜小于2%。SiO2的纯度、杂质等化学特性,与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性,对PTCR热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了BaTiO3系PTCR热敏电阻器用SiO2的技术标准。 相似文献
3.
4.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
5.
Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
6.
7.
本文论述了厚膜电阻器中噪声的特点、种类和产生机理,重点介绍了厚膜电阻器噪声测量系统和技术以及分析方法。在以上讨论的基础上,分析了厚膜电阻器中的噪声与结构的关系以及低噪声化技术。 相似文献
8.
钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。 相似文献
9.
RIG超高阻片式厚膜电阻器用96%Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。 相似文献