印刷电路板缺陷检测的实际应用

电路板在我们的日常生活中非常常见,这就使得印刷电路板的缺陷检测显得尤为重要。AOI作为新兴的检测PCB板缺陷的系统,在生产实际中正在被大家熟知并且应用。相较于传统的检测方式,AOI系统比较灵活,无论是在检测时间还是系统运算上,或者是对相关技术人员的要求相较于传统方式都比较有优势,本文就AOI系统在实际中的应用展开讨论,分析并且介绍了在实际应用中的具体细则。     

为网络更安全再次吹响WAPI的进军号

今年世界电信日的主题是“让全球网络更安全”，这说明，在全球信息化高速发展的今天，全球网络的安全问题已经引起人们的高度关注。在无线局域网的发展方面，WLAN存在的安全缺陷，给人们的生活、工作带来很多不便甚至造成很大的经济损失，已经成为其发展过程中的一大瓶劲。WAPI是我国于2003年5月提出的无线局域网国家标准，它提供了优秀的认证和安全机制，受到了我国政府和业界的大力支持。几经波折的WAPI在今年3月7日正式成立产业联盟，此举无论对WAPI还是对我国无线局域网的发展都将具有里程碑的意义。WAPI的实施不仅会保障我国无线局域网的健康发展，也将会对全球网络安全做出应有的贡献。[编者按]     

基于E语言和OVL库的功能验证方案

提出了一种基于E语言和OVL库的功能验证解决方案，此方案可以自动产生测试矢量并确定设计缺陷的位置和严重等级。使用这种方法可以有效地缩短设计周期、降低设计成本，提高验证效率和质量。     

从图像的二维谱分析现行电视的缺陷

从图像的二维谱可以得出现行广播电视图像为什么不能满足人眼的视觉匹配以及现行电视制度的不足 ,从而对未来的高清晰度电视发展提出要求。     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。