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人机对话中小样本学习场景下的意图识别和槽填充,是自然语言处理的一个重要课题.本文采用基于度量学习的方法,通过计算query set中的样本与support set中样本的距离,寻找距离最近的类别样本作为分类标签,同时将两个任务联合进行训练,用以提升模型的效果.从实验结果中可以得出,本文提出的Fine-tune方法,对意图识别和槽填充任务都有一定的帮助和提升.胶囊网络在意图识别中也起到了一定的效果,可以帮助去除一部分无关信息,但对槽填充任务的帮助不明显;而任务自适应的投影网络,可以更好地将不同类的向量分开,提升了两个任务的性能. 相似文献
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当主编安排笔者试看Mitsubishi(三菱)LVP—HC3100DLP投影机(以下简称HC3100),并且得知HC3100是HC3000升级版的时候,笔者的第一反应是有点不可思议。记得HC3000上市还是在2005年8911月,距今还不到一年,而且这款机至今仍然凭着优异的性能及出色的性价比占有着相当大的市场份额。在这么短的时间里.三菱推出升级版89HC3100,目的何在呢?是HC3000还不够完美吗?当然不是了,作为电视机、投影机等显示设备的老牌生产商,三菱有着丰厚的技术和经验的支持,在色彩管理、系统整体化设计的高完成度等方面部是有口皆碑的,甚至于去年的产品HC3000直到目前仍然是同级产品中的佼佼者之一,而且去年笔者首次看到HC3000出色的画面素质之后,当即对那浓厚的色彩、丰富的细节及快速连贯的画面感到震惊。那现在上市价比去年上市时的HC3000还便宜的HC3100,究竟升级了哪些呢?下文自有分析。 相似文献
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CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
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CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献