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Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
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基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。 相似文献
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罗山 《激光与光电子学进展》2003,40(6):8-9
英国卢瑟福·阿普尔顿实验室的科学家和工程师已完成“火神”激光器的升级工作,成为可产生拍瓦功率的光源。装置于2002年中期出光,计划年终首次对外部研究人员开放。 “火神”已能产生100TW光束,为何还要建造拍瓦激光器?据该室中央激光研究室主任HenryHutchinson说,“其原因就是科学的好奇心。物质与如此高强度光的相互作用,对科学和技术应都很有意义。在这样高的光强下会发生什么现象?我们知道一些答案,也可以预言一些现象。但是还有好多问题无法回答。” “这种新光束对于在物理前沿进行研究的科学家是个独特的机会。它是世界上最强的激光器,对英国科学界是个大好机会。” 相似文献
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随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yjeld),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。 相似文献