含氮金刚石结构中Jahn-Teller畸变效应的计算

研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。     

纵向泵浦Cr∶ Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应研究

对纵向泵浦Cr∶Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应进行了详细的理论分析。对温度分布的函数表达式 ,进行了讨论 ;分析了热引起的应力 ,得到了激光棒破裂的临界功率公式 ;最后对光学畸变进行了分析与讨论 ,推导了光程差计算公式     

极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值.     

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.     

奥爱斯"BS系列"地拉式银幕移动演绎的好帮手

目前，投影机的运用越来越普遍，无论在商务、文教、医院、媒体、还是娱乐等场合，采用能带来高清晰大画面投影机的比比皆是。除了投影机自身素质会决定投影效果之外，投影幕也对投影效果起着举足轻重的作用。通常所见的天花板吊装电动式或手动式投影幕，比较合适装置于固定场所，如私     

12kW二极管泵浦激光模块

二极管泵浦固体激光器（DPL）具有寿命长、热负载小、结构紧凑等优点，在工业加工、军事、通讯等领域都得到了广泛的应用。在高光束质量、高平均功率DPL激光器的研究中，目前普遍采用MOPA结构的光路布局——由谐振腔产生出低功率的单横模激光输出，经多路放大后达到满足需求的功率水平。而激光放大模块作为放大光路中的核心部件，其增益分布特性将直接影响到光束放大过程中的波前变化，因此如何在提高激光放大模块储能的同时提高模块增益分布的均匀性，从而减少光路放大过程的波前畸变，对于进一步研制高平均功率、高光束质量的半导体泵浦固体激光器具有非常重要的意义。     

全景图像几何畸变校正的算法研究及其软件实现

对于360°视场的全景图像,本文提出了分别对其进行切向和径向畸变校正的处理算法,并用插值处理提高处理精度。达到了将全景图像恢复为常规视场平面像的目的。它是进一步图像分析的前期工作。     

异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。