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1.
撰稿指南     
《中学数学》2015,(4):3
1.凡投稿,请一律将作者的姓名、简介、所在单位、通讯地址、邮政编码、联系电话、传真、E-mail等个人信息全部放在与正文内容相独立的首页,个人信息应尽量完整、准确,以便编辑部及时与作者联系.2.因投稿量大,无论本刊采用与否,概不退稿,请作者自留底稿,投稿者勿一稿多投,若作者在投稿后一个半月仍未接到采用通知,可自行处理稿件.投稿一个半月后可与责任编辑联系查询稿件的受理情况,查询电话见版权页,  相似文献   
2.
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。  相似文献   
3.
各种各样的软件和硬件上的错误都会破坏网络的数据传输,因此研究No C网络的容错算法是非常必要的。在基于XY路由算法的基础上提出了改进的容错路由算法,当链路或者传输节点之间发生错误时,可通过重新设置路由规则来获取一条有效的路由路径。在FPGA上进行路由容错算法的仿真,并和目前常用的几种路由算法在所适用拓扑、是否防止死锁等方面进行对比。仿真结果显示改进的路由容错算法性能优越,是可行的。  相似文献   
4.
5.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计   总被引:5,自引:2,他引:3  
张海清  章倩苓 《半导体学报》2003,24(11):1154-1158
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.  相似文献   
6.
当主编安排笔者试看Mitsubishi(三菱)LVP—HC3100DLP投影机(以下简称HC3100),并且得知HC3100是HC3000升级版的时候,笔者的第一反应是有点不可思议。记得HC3000上市还是在2005年8911月,距今还不到一年,而且这款机至今仍然凭着优异的性能及出色的性价比占有着相当大的市场份额。在这么短的时间里.三菱推出升级版89HC3100,目的何在呢?是HC3000还不够完美吗?当然不是了,作为电视机、投影机等显示设备的老牌生产商,三菱有着丰厚的技术和经验的支持,在色彩管理、系统整体化设计的高完成度等方面部是有口皆碑的,甚至于去年的产品HC3000直到目前仍然是同级产品中的佼佼者之一,而且去年笔者首次看到HC3000出色的画面素质之后,当即对那浓厚的色彩、丰富的细节及快速连贯的画面感到震惊。那现在上市价比去年上市时的HC3000还便宜的HC3100,究竟升级了哪些呢?下文自有分析。  相似文献   
7.
文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。  相似文献   
8.
9.
李强 《现代电子技术》2006,29(19):91-93
进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。  相似文献   
10.
《今日电子》2004,(2):3-3
“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。  相似文献   
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