布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

空间非相干多分量光束构成的非相干耦合屏蔽孤子对

两束本身具有空间非相干性的非相干多分量光束可以在光折变介质中形成非相干耦合 屏蔽孤子对，利用相干密度法得到了亮 亮、暗 暗型耦合孤子对的解，并研究了构成 非相干孤子对分量光束的相干组分的传播特性. 关键词： 空间非相干多分量光束 耦合孤子对 相干密度 相干组分     

邻苯二甲酸二丁酯对雌二醇与血清组分结合的影响

利用紫外分光光度法测定了邻苯二甲酸二丁酯 (DBP)、雌二醇 (E2 )与血清组分 3种物质间两两结合的二元体系和三元体系结合常数。结果表明 ,DBP、血清组分和 E2 三者之间能两两结合 ,其中以 E2 与血清组分的结合能力最强。当三者处于同一体系中 ,随着 DBP浓度的增加 ,E2 与血清组分 - DBP二元体系间的结合常数也逐渐增加 ,其最大值高出正常 E2 与血清组分结合常数 (7.5 4× 10 4mol-1· L )近一个数量级。这表明 ,DBP的存在可能不会与 E2 对血清组分进行竞争结合 ,但由于本身的结合特点 ,会减少血液中游离E2 的含量 ,从而影响细胞内雌激素的平衡     

掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响

利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化.     

PVC敏感膜组分比对K~＋─ISFET响应特性的影响

本文研究了以二苯并—３０—冠—１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ响应特性的影响．同时，对Ｋ~＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。     

Triterpenoid Constituents of Huperzia miyoshiana

Thirteen triterpenoids, including three new ones, miyoshianois A (1), B (2) and C (3), were isolated from Huperzia miyoshiana. The structures of these new compounds were established as 3-O-dihydroferuloyltohogenol (1), 16-oxo-3β,21β-dihydrox-y-serrat-14-en-24-ferulate (2) and 16-oxo-3a, 21β-dihydroxy-serrat-14-en-24-ferulate (3), respectively, on the basis of their spectroscopic analysis.     

Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果     

快离子辐照损伤能深度分布理论计算

本文描述了一个用于计算快离子在无定形结构靶材料中引起的损伤能量分布的计算程序HEDEP-1.程序中采用了I.Manning等发展的近似计算方法,在处理入射离子与靶原子碰撞过程中考虑了核力影响,在电子阻止本领计算中选用了最新发表的J.F.Ziegler等数据.程序适用的能量范围是较宽的,从L.S.S.能区一直延伸到弹-核系统的库仑势垒以上,可以计算单质和多至四种元素组成的均匀靶材料.